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BC847BS 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BC847BS
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内容描述: NPN通用双晶体管 [NPN general purpose double transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 49 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用双晶体管
热特性
符号
每个器件
R
日J-一
1.装置安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每个晶体管
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
C
c
C
e
f
T
1.脉冲测试:吨
p
300
µs; δ ≤
0.02.
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
基射极电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安;注1
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
200
580
100
755
655
11
参数
条件
分钟。
从结点到环境的热阻
注1
416
参数
条件
价值
BC847BS
单位
K / W
典型值。
马克斯。
单位
15
5
100
450
100
300
700
1.5
nA
µA
nA
mV
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 500 mV的; F = 1 MHz的
1999年04月28
3