飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入与门
74HC08 ; 74HCT08
A
手册， halfpage
Y
B
MNB037
手册， halfpage
A
Y
B
MNA221
图5的HC逻辑图（ 1栅极） 。
图6 HCT逻辑图（ 1门） 。
推荐工作条件
74HC08
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境
温度
输入兴衰
时
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
−40
每台设备的特点
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
−
−
−
典型值。
5.0
−
−
+25
−
6.0
−
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
1000
500
400
分钟。
4.5
0
0
−40
−
−
−
典型值。
5.0
−
−
+25
−
6.0
−
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
−
500
−
V
V
V
°C
ns
ns
ns
74HCT08
单位
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
DIP14封装
其他包
笔记
1.对于DIP14封装： 70以上
°C
为12毫瓦/ K的线性降额。
2.对于SO14封装： 70以上
°C
8毫瓦/ K线性降额。
对于SSOP14和TSSOP14封装： 60岁以上
°C
5.5毫瓦/ K线性降额。
对于DHVQFN14包： 60岁以上
°C
4.5毫瓦/ K线性降额。
2003年07月25
5
T
AMB
=
−40
+125
°C;
注1
T
AMB
=
−40
+125
°C;
注2
−
−
750
500
mW
mW
V
I
＆ LT ;
−0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
−0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
−0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
−
−
−
−
−65
分钟。
−0.5
马克斯。
+7.0
±20
±20
±25
±50
+150
V
mA
mA
mA
mA
°C
单位
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
