飞利浦半导体
产品speci fi cation
8级移位 - 和 - 存储总线寄存器
特点
•
输出能力：标准
•
I
CC
类别： MSI
概述
该74HC / HCT4094是高速硅栅CMOS
设备，且引脚与“ 4094 ”的兼容
“ 4000B ”系列。它们是符合规定的
JEDEC标准没有。 7A 。
该74HC / HCT4094 8级串行移位寄存器
具有与每个阶段为一个存储锁存器相关联的
从串行输入端（ D）传送至并行数据选通
缓冲3态输出（ QP
0
到QP
7
） 。并行输出
可以直接连接到公共总线线路。
数据被移位在正向时钟（CP）的过渡。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
74HC/HCT4094
在各移位寄存器级的数据被传输到
存储寄存器时，选通输入（ STR ）为高。
在存贮寄存器中的数据出现在输出端
每当输出使能输入端（OE）信号为高电平。
两个串行输出（ QS
1
和QS
2
）可用于
级联了多个“ 4094 ”的设备。数据可在
QS
1
对正向的时钟沿，以允许高速
操作级联系统中，时钟的上升时间
快。在QS相同的序列信息，请访问
2
on
下一个负向的时钟边沿，是级联
“ 4094 ”的装置，当所述时钟信号的上升时间慢。
应用
•
串行到并行的数据转换
•
遥控器保持寄存器
典型
符号
t
PHL
/ t
PLH
参数
传播延迟
CP到QS
1
CP到QS
2
CP为QP
n
STR为QP
n
f
最大
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
µW):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
−
1.5 V
订购信息
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。
最大时钟频率
输入电容
每个封装的功率耗散电容
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
15
13
20
18
95
3.5
83
19
18
21
19
86
3.5
92
ns
ns
ns
ns
兆赫
pF
pF
HCT
单位
1990年12月
2
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
