飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非门
特点
•
电平转换功能
•
输出能力：标准（漏极开路）
•
I
CC
类别： SSI
概述
该74HC / HCT03是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
74HC/HCT03
该74HC / HCT03提供的二输入NAND功能。
该74HC / HCT03具有开漏N -晶体管输出，
哪个没有被连接到V的二极管钳位
CC
。在
断开状态，即当一个输入端为低电平时，输出
可拉至GND和V之间的电压
OMAX
.
这使得器件能够被用作一个低到高或
高到低的电平转换器。对于数字运算和
或系在一起的输出的应用程序，这些设备必须有一个
上拉电阻，以建立一个逻辑高电平。
典型
符号
t
PZL
/ t
PLZ
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
µW):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) +
∑
(V
O2
/R
L
)
×
占空因数低，其中：
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
V
O
=输出电压V中
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
R
L
=上拉电阻MΩ
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和
∑
(V
O2
/R
L
） =产出的总和
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
−
1.5 V
3. C的给定值
PD
获得具有：
C
L
= 0 pF的和R
L
=
∞
订购信息
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。
参数
传播延迟
输入电容
每门功率耗散电容
注意到1,2和3
条件
HC
C
L
= 15 pF的; ř
L
= 1 kΩ的; V
CC
= 5 V
8
3.5
4.0
HCT
10
3.5
4.0
ns
pF
pF
单位
1990年12月
2
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
