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    74HC02D653 参数 Datasheet PDF下载

    74HC02D653图片预览
    型号： 74HC02D653
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 四路2输入NOR门 [Quad 2-input NOR gate]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 16 页 / 132 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号74HC02D653的Datasheet PDF文件第1页浏览型号74HC02D653的Datasheet PDF文件第2页浏览型号74HC02D653的Datasheet PDF文件第3页浏览型号74HC02D653的Datasheet PDF文件第4页浏览型号74HC02D653的Datasheet PDF文件第6页浏览型号74HC02D653的Datasheet PDF文件第7页浏览型号74HC02D653的Datasheet PDF文件第8页浏览型号74HC02D653的Datasheet PDF文件第9页  
    恩智浦半导体
    74HC02 ; 74HCT02
    四路2输入NOR门
    表6 。
    静态特性
    - 续
    在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
    符号参数
    74HCT02
    V
    IH
    V
    IL
    V
    OH
    高位
    输入电压
    低电平
    输入电压
    高位
    输出电压
    V
    CC
    = 4.5 V至5.5 V
    V
    CC
    = 4.5 V至5.5 V
    V
    I
    = V
    IH
    或V
    IL
    ; V
    CC
    = 4.5 V
    I
    O
    =
    20 A
    I
    O
    =
    4.0
    mA
    V
    OL
    低电平
    输出电压
    V
    I
    = V
    IH
    或V
    IL
    ; V
    CC
    = 4.5 V
    I
    O
    = 20
    A
    I
    O
    = 5.2毫安
    I
    I
    I
    CC
    I
    CC
    输入漏
    当前
    电源电流
    另外
    电源电流
    V
    I
    = V
    CC
    或GND ;
    V
    CC
    = 5.5 V
    V
    I
    = V
    CC
    或GND ;我
    O
    = 0 A;
    V
    CC
    = 5.5 V
    -
    -
    -
    -
    0
    0.15
    -
    -
    150
    0.1
    0.26
    0.1
    2.0
    540
    -
    -
    -
    -
    -
    0.1
    0.33
    1
    20
    675
    -
    -
    -
    -
    -
    0.1
    0.4
    1
    40
    735
    V
    V
    A
    A
    A
    4.4
    3.98
    4.5
    4.32
    -
    -
    4.4
    3.84
    -
    -
    4.4
    3.7
    -
    -
    V
    V
    2.0
    -
    1.6
    1.2
    -
    0.8
    2.0
    -
    -
    0.8
    2.0
    -
    -
    0.8
    V
    V
    条件
    民
    25
    C
    典型值
    最大
    40 C
    +85
    C 40 C
    +125
    C
    单位
    民
    最大
    民
    最大
    -
    每个输入引脚;
    V
    I
    = V
    CC
    2.1 V ;我
    O
    = 0 A;
    其他输入在V
    CC
    或GND ;
    V
    CC
    = 4.5 V至5.5 V
    -
    C
    I
    输入
    电容
    3.5
    -
    -
    -
    -
    -
    pF
    10.动态特性
    表7中。
    动态特性
    GND = 0 V ; ç
    L
    = 50 pF的;对于负载电路见
    图7 。
    符号参数
    条件
    民
    74HC02
    t
    pd
    传播延迟呐， NB到纽约;看
    图6
    V
    CC
    = 2.0 V
    V
    CC
    = 4.5 V
    V
    CC
    = 5.0 V ; ç
    L
    = 15 pF的
    V
    CC
    = 6.0 V
    t
    t
    转换时间
    SEE
    图6
    V
    CC
    = 2.0 V
    V
    CC
    = 4.5 V
    V
    CC
    = 6.0 V
    C
    PD
    功耗
    电容
    每包; V
    I
    = GND到V
    CC
    [3]
    [2]
    [1]
    25
    C
    典型值
    最大
    40 C
    +125
    C
    单位
    最大
    (85
    C)
    最大
    (125
    C)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    25
    9
    7
    7
    19
    7
    6
    22
    90
    18
    -
    15
    75
    15
    13
    -
    115
    23
    -
    20
    95
    19
    16
    -
    135
    27
    -
    23
    110
    22
    19
    -
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    pF
    74HC_HCT02
    本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
    © NXP B.V. 2012保留所有权利。
    产品数据表
    第4版 - 2012年9月4日
    5 16

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