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2N2222 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N2222
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内容描述: NPN开关晶体管 [NPN switching transistors]
分类和应用: 晶体开关晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 55 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN开关晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
集电极截止电流
2N2222
I
CBO
集电极截止电流
2N2222A
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
I
E
= 0; V
CB
= 60 V
I
E
= 0; V
CB
= 60 V ;牛逼
AMB
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 3 V
I
C
= 0.1毫安; V
CE
= 10 V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V
I
C
= 150毫安; V
CE
= 1V ;注1
I
C
= 150毫安; V
CE
= 10 V ;注1
h
FE
h
FE
直流电流增益
2N2222A
直流电流增益
2N2222
2N2222A
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
2N2222
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
2N2222A
V
BESAT
基射极饱和电压
2N2222
V
BESAT
基射极饱和电压
2N2222A
C
c
C
e
f
T
集电极电容
发射极电容
2N2222A
跃迁频率
2N2222
2N2222A
F
噪音科幻gure
2N2222A
I
C
= 200
µA;
V
CE
= 5 V ; ř
S
= 2 kΩ;
F = 1千赫B = 200赫兹
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 20V; F = 100 MHz的
I
C
= 150毫安;我
B
= 15毫安;注1
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安;注1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 500 mV的; F = 1 MHz的
I
C
= 150毫安;我
B
= 15毫安;注1
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安;注1
I
C
= 150毫安;我
B
= 15毫安;注1
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安;注1
I
C
= 150毫安;我
B
= 15毫安;注1
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安;注1
I
C
= 500毫安; V
CE
= 10 V ;注1
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V ;牛逼
AMB
=
−55 °C
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
I
E
= 0; V
CB
= 50 V ;牛逼
AMB
= 150
°C
条件
2N2222 ; 2N2222A
分钟。
35
50
75
50
100
35
30
40
0.6
250
300
马克斯。
10
10
10
10
10
300
400
1.6
300
1
1.3
2.6
1.2
2
8
25
4
单位
nA
µA
nA
µA
nA
mV
V
mV
V
V
V
V
V
pF
pF
兆赫
兆赫
dB
1997年5月29日
4