飞利浦半导体
初步speci fi cation
高速双二极管
条件
−
−65
−
分钟。
马克斯。
250
+150
+150
单位
mW
°C
°C
符号
P
合计
T
英镑
T
j
记
参数
储存温度
结温
总功耗（每包）T
AMB
≤
25
°C;
注1
1.参考SC- 89 （ SOT490 ）标准安装条件。
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
正向电压
见图6
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 100毫安
I
R
反向电流
参见图8
V
R
= 25 V
V
R
= 80 V
V
R
= 25 V ;牛逼
j
= 150
°C
V
R
= 80 V ;牛逼
j
= 150
°C
C
d
二极管电容
t
rr
反向恢复时间
从我切换
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
R
L
= 100
Ω;
测量我
R
= 1毫安;
见图10
切换到我
F
= 10毫安;牛逼
r
= 20纳秒;
参见图11
F = 1兆赫; V
R
= 0;见图9
−
−
−
−
1.5
1.5
2
4
pF
pF
pF
ns
−
−
−
−
30
0.5
30
100
nA
µA
µA
µA
610
740
−
−
−
−
1
1.2
mV
mV
V
V
参数
条件
典型值。
马克斯。
单位
V
fr
正向恢复电压
−
1.75
V
热特性
符号
R
第j个-S
R
日J-一
记
1.参考SC- 89 （ SOT490 ）标准安装条件。
从结点到环境的热阻
注1
参数
条件
价值
55
70
70
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
从结热阻焊接点两个二极管装
1999年6月08
3
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
