3.7
射频功率晶体管
新：
在www.nxp.com/rfpower RF功率晶体管选型指南
易于使用的参数滤波器帮助您选择正确的射频
功率晶体管为您的设计。
3.7.1
RF功率晶体管，用于基站
设备命名规范的射频功率晶体管，用于基站
-45 P R B N G - V
视频带宽增强
鸥翅形引线
特产
选项：电流检测铅
增强耐用性
推拉装置
的P1dB功率
选项：无耳包
选项：低热阻
工作频率（在100MHz时，最大）
G：标准LDMOS
LDMOS技术的产生
F：在陶瓷封装的LDMOS晶体管
C：在气腔塑料（ ACP ）封装的LDMOS晶体管
D：全集成Doherty放大器
M： MMIC模块
L：高频功率晶体管
B：半导体管芯由Si的
B·L F 6摹
22L的S
为什么选择恩智浦的射频功率晶体管用于基站：
`
领先的技术（ 6代，第7和LDMOS 8 ）
`
效率最高
`
最佳的耐用性
`
先进的Doherty放大器的设计
`
很宽波段（视频带宽增强）设备
`
业界第一款3.8 GHz的多尔蒂
`
业界首款三路， 900 MHz的多尔蒂
`
业界首款50 V， 600 W，单包多尔蒂
恩智浦提供完整的阵容从800 MHz至3.8 GHz的用于基站运行射频功率晶体管，
覆盖所有的蜂窝技术[ MC- GSM / EDGE ，TDMA （TD -S）的CDMA ， W-CDMA / UMTS，LTE ]和WiMAX基础设施。
3.7.1.1
TYPE
0.7 - 1.0 GHz的阵容
测试信号的性能
产品
司机
MMIC
驱动器/决赛
f
民
（兆赫）
700
920
700
700
700
850
920
920
688
700
700
700
700
700
700
700
700
900
f
最大
（兆赫）
2200
960
1000
1000
900
960
960
960
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
P1dB
(W)
10
30
40
45
140
300
160
250
200
135
160
160
160
200
260
270
400
140
匹配
-
I / O
I
I
O
I / O
I / O
I / O
I
I
-
I
I / O
I / O
I
I / O
I / O
O
VDS
(V)
28
28
28
28
28
28
30
30
28
28
50
32
30
28
28
28
28
28
P
L
(W)
2
2
2.5
1
35
60
35
60
40
26.5
45
32
35
45
40
56
79
35
BO
（ dB）的
7.0
11.8
12.0
16.5
6.0
7.0
6.6
6.2
7.0
7.1
5.5
7.0
6.6
6.5
8.1
6.8
7.0
6.0
η
D
(%)
26
11.5
15
8
28
30
29
30.5
28.5
28
30
27
28
28
26.5
28
27
28
G
p
（ dB）的
17
29
23
23
19
19
19.7
19.5
20
21
20
22.5
30
19.3
22
19.6
19.4
19
测试信号
2 -C WCDMA
2 -C WCDMA
2 -C WCDMA
2 -C WCDMA
2 -C WCDMA
2 -C WCDMA
2 -C WCDMA
2 -C WCDMA
2 -C WCDMA
2 -C WCDMA
2 -C WCDMA
2 -C WCDMA
2 -C WCDMA
2 -C WCDMA
2 -C WCDMA
2 -C WCDMA
2 -C WCDMA
2 -C WCDMA
包
BLF6G10(S)-45
BLF8G10L(S)-300P*
BLF8G10L(S)-160
BLF7G10L(S)-250
BLF6G10(LS)-200RN
BLF6G10(LS)-135RN
BLF6H10L(S)-160
BLF6G10(LS)-160RN
BLF8G10L(S)-160V*
BLF6G10L(S)-260PRN
BLF8G10LS-400PGV*
BLP7G09S-140P(G)*
最终科幻
红色粗体
=新的，强烈推荐产品
*检查状态在3.1节，因为这类型尚未公布量产
恩智浦半导体RF手册16
th
版
95
按产品功能
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
