2.3.4
低噪声LO发生器微波毫米波&收音机
恩智浦LO发生器（集成VCO / PLL ） TFF11xxxHN
恩智浦突破性的QUBiC4X SiGe半导体制造：C工艺技术，这些高度集成，
对齐无LO发生器是低功耗和低杂散解决方案，简化设计并降低
总拥有成本。
这些低噪声的本地振荡器（LO）生成器，优化
在与许多不同的微波应用
7和15千兆赫，提供小高精度性能
足迹。它们不需要对齐或频率修改
在生产线上，因此它们简化制造。高
整合节省电路板空间，使设计的更加容易，为
较低的总成本和更快的发展。
由于这些IC是采用恩智浦生产的行业领先
的QUBiC4X的SiGe ： C工艺，他们提供更好的整体RF
性能，比它们的GaAs当量更健壮，
并消耗更少的功率。的工艺技术也
实现更高的集成度，以增加功能。恩智浦拥有
产业基地进行生产（晶圆制造，测试，装配） ，
所以供应量可以得到保证。
该TFF1003HN是基础LO的整个家庭
发电机。它拥有12.8 VCO覆盖到13.05 GHz和
接受输入信号，从50到816兆赫。除法器可设置
为16 ，32，64 ，128，或256 ，并且输出电平为-5 dBm的用
的± 2分贝稳定性。 LO发生器的家庭是由完成
的范围内的18个不同的设备中的中心频率的操作
从7到15 GHz的。所有这些的射频性能
设备与TFF1003HN一致。
所有的LO发生器具有低功耗（ 330 mW的典型值） ，
和所有的都可以在一个节省空间的24引脚HVQFN封装。
特点
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TFF11xxxHN系列：低噪声LO发生器
一个完整的家庭， 7 〜15 GHz范围内
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最大功耗为所有类型为330毫瓦（典型值）
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相位噪声符合IESS - 308 （通信卫星）
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探明的QUBiC4X的SiGe ：C技术（ 120 GHz的˚F
T
PROCESS ）
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外部环路滤波器
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差分输入和输出
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锁定检测输出
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环路滤波器内部稳定电压基准
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24引脚HVQFN （ SOT616-1 ）封装
应用范围： TFF11xxxHN家庭
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工业/医疗测试和测量设备
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电子战（ EW ）
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电子对抗（ ECM ）
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点至点
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点对多
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卫星通信/ VSAT
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雷达系统
低噪声LO发生器的全系列产品组合一览
在第3.4.4一般微波应用
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恩智浦半导体RF手册16
th
版
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
