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    1N827T/R 参数 Datasheet PDF下载

    1N827T/R图片预览
    型号： 1N827T/R
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Reference Diode]
    分类和应用： 二极管测试
    文件页数/大小： 5 页 / 33 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号1N827T/R的Datasheet PDF文件第1页浏览型号1N827T/R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1N827T/R的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1N827T/R的Datasheet PDF文件第5页  
    飞利浦半导体
    产品speci fi cation
    电压基准二极管
    特点
    •
    温度补偿
    •
    参考电压范围：
    5.89至6.51 V（典型值6.20 V）
    •
    低温度系数范围：
    最大。 0.0005〜0.01 ％/ K 。
    k
    手册， halfpage
    1N821为1N829
    1N821A到1N829A
    描述
    在一个密闭SOD68 （DO- 34）的玻璃电压参考二极管
    封装。
    a
    MAM216
    应用
    •
    电压参考源
    测量仪器，如
    数字电压表。
    Fig.1简化外形（ SOD68 ; DO - 34 ）和符号。
    极限值
    按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
    符号
    I
    Z
    P
    合计
    T
    英镑
    T
    j
    T
    AMB
    参数
    工作电流
    总功耗
    储存温度
    结温
    工作环境温度
    T
    AMB
    = 50
    °C
    条件
    分钟。
    −
    −
    −65
    −
    −55
    马克斯。
    50
    400
    +200
    200
    +100
    单位
    mA
    mW
    °C
    °C
    °C
    1996年03月20日
    2

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