飞利浦半导体
产品speci fi cation
电压基准二极管
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
REF
∆V
REF
参数
参考电压
基准电压偏移
1N821 ; 1N821A
1N823 ; 1N823A
1N825 ; 1N825A
1N827 ; 1N827A
1N829 ; 1N829A
S
Z
温度COEF网络cient
1N821 ; 1N821A
1N823 ; 1N823A
1N825 ; 1N825A
1N827 ; 1N827A
1N829 ; 1N829A
r
DIF
微分电阻
1N821为1N829
1N821A到1N829A
笔记
I
Z
= 7.5毫安;见图4
−
−
I
Z
= 7.5毫安：见图3 ;
注1和2
条件
I
Z
= 7.5毫安
I
Z
= 7.5毫安;测试点
T
AMB
:
−55;
+25; +75; +100
°C;
见图2 ;注1和2
分钟。
5.89
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
1N821为1N829
1N821A到1N829A
典型值。
6.20
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
马克斯。
6.51
96
48
19
9
5
0.01
0.005
0.002
0.001
V
单位
mV
mV
mV
mV
mV
%/K
%/K
%/K
%/K
0.0005 %/K
15
10
Ω
Ω
1.引用的值
∆V
REF
是基于一个恒定电流I
Z
。有两个因素可能会导致
∆V
REF
改变，即
微分电阻r
DIF
和温度系数μS
Z
.
一）作为最大。 ř
DIF
该设备可以是15
Ω,
的0.01毫安中的电流的变化，通过该参考二极管将
导致
∆V
REF
毫安0.01
×
15
Ω
= 0.15毫伏。这一级别的
∆V
REF
是不是一个1N821 （ΔV显著
REF
< 96毫伏） ，
这不过是一个1N829 （ ΔV非常显著
REF
<为5 mV ） 。
b）该参考电压的S的温度系数
Z
是I的函数
Z
。参考二极管进行分类的
规定的试验电流和S
Z
基准的二极管将处于不同层次的予不同
Z
。绝对值
我
Z
是我很重要，但是，在稳定性
Z
一旦电平已经被设置，是更为显著。这适用
特别是对1N829 。 I的稳定性的效果
Z
在S
Z
示于图3 。
2.所有的基准二极管的特征是'盒法“ 。这保证了最大电压偏移（ ΔV
REF
)
在指定的温度范围内，在指定的测试电流（I
Z
） ，通过在指定的温度测试验证
的范围内指向。 V
Z
测量并记录在指定的每一个温度下进行。该
∆V
REF
之间最高
值和最低值必须不超过最大
∆V
REF
给出。因此，温度系数仅给定为
V
ref1
–
V
ref2
100
的参考。它可以来源于：•
Z
=
-------------------------------------
×
------------------- %/K
-
-
T
amb2
–
T
amb1
V
参考NOM
热特性
符号
R
日J- TP
R
日J-一
参数
从结热阻，以配合点
从结点到环境的热阻
条件
8毫米从主体
引线长度10毫米
价值
300
375
单位
K / W
K / W
1996年03月20日
3
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
