1N5819T/R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N5819T/R
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内容描述：	[1A, 40V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2]
分类和应用：	二极管
文件页数/大小：	9 页 / 41 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒二极管

图形数据

1N5817; 1N5818; 1N5819

手册， halfpage

MBE634

(A)

TJ = 125摄氏度

25℃

0.5

VF （ V）

图2典型正向电压。

a=3

PF （ AV ）

(W)

2.5

1.57

1.42

MBE642

0.5

1.5

IF （ AV ）（A ）

Fig.3

1N817 。最大值稳态正向功率耗散平均正向的函数

电流;一个=我

F（ RMS ）

F（ AV）。

1996年5月3日

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