N沟道结型场效应晶体管，用于一般的射频应用
V
DS
TYPE
包
(V)
最大
I
G
（MA ）
最大
I
DSS
（MA ）
民
最大
特征
V
GSoff
| YFS |
(V)
（女士）
民
最大
民
最大
3
3
3
4.5
4.5
4.5
12
16
20
35
2.5
4
6
7
1
1.5
>1
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
10
4
4.5
6.5
6.5
6.5
-
-
-
20
25
30
-
C
rs
（PF ）
民
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
2.1
2.1
2.1
typ=1.9
0.4
0.4
0.4
0.4
1.5
1.5
1.5
1.3
1.3
1.3
1.3
最大
-
-
-
-
-
-
2.7
2.7
2.7
-
0.5
0.5
0.5
0.5
-
-
-
(1)
不对称
3.5.2
MOSFET的
在www.nxp.com/rffets射频MOSFET选型指南易于使用的参数
过滤器帮助您选择正确的射频MOSFET为您的设计。
为什么选择恩智浦的MOSFET ：
`
参考设计用于电视调谐
`
交货期短
`
广泛的产品组合
`
最小的封装
`
2合1的FET为调谐器应用
`
可靠的供应量
`
最佳性能的MOSFET电视调谐
N沟道，单MOSFET的切换
V
DS
TYPE
包
(V)
最大
10
3
3
3
3
3
3
3
3
3
I
D
（MA ）
最大
50
10
10
10
10
10
10
10
10
10
I
DSS
（MA ）
民
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
100
100
100
100
100
100
100
100
V
GS （ TH）
(V)
民
最大
0.1
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7
7
7
7
7
7
7
7
7
R
DSON
(Ω)
最大
45
20
20
20
20
20
22
22
22
22
特征
C
rs
t
on
（PF ）
（纳秒）
民
最大
典型值
最大
typ.0.6
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
t
关闭
（纳秒）
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
|S
21(on)
|
2
（ dB）的
最大
-
2.5
3
3
3
3
3
3
3
3
|S
21(off)
|
2
（ dB）的
民
-
30
30
30
30
30
30
30
30
30
模式
硅射频开关
BF1108W
BF1108WR
ENH 。
DEPL 。
DEPL 。
DEPL 。
DEPL
DEPL
DEPL
DEPL
DEPL
DEPL
胆大
=强烈推荐产品
恩智浦半导体RF手册16
th
版
91
按产品功能
DC，低频和高频放大器
30
10
2
6.5
0.4
7.5
30
10
6
15
0.4
7.5
30
10
12
25
0.4
7.5
30
10
3
7
0.5
7.5
30
10
6
13
0.5
7.5
30
10
11
18
0.5
7.5
前置放大器的AM调谐器的汽车收音机
25
10
2
6.5
0.2
1.0
25
10
6
15
0.5
1.5
25
10
12
25
0.8
2
20
10
10
25
0.3
2
RF级FM便携设备，汽车收音机，收音机主要&混频级
20
10
0.7
3
（典型值） 。 0.8
20
10
2.5
7
（典型值） 。 1.5
20
10
6
12
（典型值） 。 2.2
20
10
10
18
典型值。 3
低层次的通用放大器
25
5
4
10
<5
25
5
1
5
＆ LT ; 2.5
通用放大器
25
5
0.2
1.5
＆ LT ; 1.2
AM输入级的UHF / VHF放大器
25
50
12
60
1
6.5
25
50
12
30
1
4
25
50
24
60
2
6.5
25
50
24
60
2
6.5
2.5
2.5
2.5
2.5
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
