2.1.4
新一代的LDMOS射频功率无线基础设施：恩智浦Gen8
恩智浦宣布去年的第8代其著名的RF功率器件组合的基站。
认真听取了全球领先的基础设施供应商，了解他们的需求，我们
采取综合办法， Gen8的发展。这意味着，我们在审议电源的每一个细节
晶体管和重新考虑整个“管系统”， ceate新一代的执行显着
比它的前辈们更好的，和它的竞争对手，再次为业界设定标准。
Gen8解决了关键趋势在无线
基础设施行业
`
增加信号带宽高达100 MHz ，使
全波段操作
`
成本的敏感度：峰值功率高达270瓦的SOT502-
大包
`
减少机壳的尺寸/重量/体积
`
持续需要更大的电效率，减少
冷却需求和运营支出
`
不断增加的输出功率
`
需要部署多标准和面向未来
解决方案
Gen8是答案，所有这些常常矛盾的要求。
封装和模具设计，以及输入和输出
匹配结构，都得到了优化，使宽带，
经济实惠的，紧凑的，多标准，高效
多尔蒂功率放大器。所有的蜂窝频率解决方案
频带目前正在采样，并且在生产中或
将公布整个2012 。
的Gen8晶体管第一波
TYPE
BLF8G10L(S)-160
BLF8G10L(S)-160V
BLF8G10L(S)-300P
BLF8G10LS-400PGV
BLF8G20L(S)-200V
BLF8G22LS-400PGV
BLF8G24L(S)-200P
BLF8G27LS-140V
BLF8G27LS-200PGV
BLF8G27LS-280PGV
f
民
（兆赫）
920
700
700
700
850
700
1800
1800
1800
2000
2000
2000
2000
2300
2500
2600
2500
2500
f
最大
（兆赫）
960
1000
1000
1000
960
1000
2000
2000
2000
2200
2200
2200
2200
2400
2700
2700
2700
2700
P1dB
(W)
160
160
200
270
300
400
200
270
270
160
200
270
400
200
140
140
200
280
匹配
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
包
SOT1244C
SOT1244C
SOT1242C
SOT1244C
SOT1242C
SOT1244C
SOT1244C
SOT1242C
SOT1244B
SOT1242C
SOT1242C
计划
发布
发布
发布
Q412
Q412
Q312
Q412
发布
Q412
Q412
发布
Q312
Q312
Q312
Q312
Q412
Q412
Q412
Q412
描述
Gen8陶瓷LDMOS晶体管GSM ， WCDMA &
LTE应用
Gen8陶瓷LDMOS晶体管GSM ， WCDMA &
LTE应用
Gen8陶瓷LDMOS晶体管GSM ， WCDMA &
LTE应用（鸥翼）
Gen8陶瓷LDMOS晶体管GSM ， WCDMA &
LTE应用（鸥翼）
对于GSM Gen8陶瓷推挽LDMOS晶体管，
WCDMA & LTE应用（鸥翼）
对于GSM Gen8陶瓷推挽LDMOS晶体管，
WCDMA & LTE应用（鸥翼）
Gen8陶瓷LDMOS晶体管GSM & LTE
应用
Gen8陶瓷LDMOS晶体管GSM & LTE
应用程序（鸥翼）
对于GSM & Gen8陶瓷推挽LDMOS晶体管
LTE应用（鸥翼）
Gen8陶瓷LDMOS晶体管WCDMA & LTE
应用
Gen8陶瓷LDMOS晶体管WCDMA & LTE
应用程序（鸥翼）
Gen8陶瓷LDMOS晶体管WCDMA & LTE
应用程序（鸥翼）
对于Gen8陶瓷推挽LDMOS晶体管
WCDMA & LTE应用（鸥翼）
对于Gen8陶瓷推挽LDMOS晶体管
WCDMA & LTE应用
Gen8陶瓷LDMOS晶体管WCDMA & LTE
应用程序（鸥翼）
Gen8陶瓷LDMOS晶体管WCDMA & LTE
应用
对于Gen8陶瓷推挽LDMOS晶体管
WCDMA & LTE应用（鸥翼）
对于Gen8陶瓷推挽LDMOS晶体管
WCDMA & LTE应用（鸥翼）
注：所有设备均内部匹配（ I / O）
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恩智浦半导体RF手册16
th
版
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
