2.5.3
QUBiC4硅和SiGe ：C晶体管的任何RF功能
恩智浦宽带晶体管BFU6x0F & BFU7x0F
这些下一代设备提供最佳的RF噪声系数与增益性能，绘制
最低的电流。这样的表现可以更好地接收信号，在低功耗和射频能
接收器在噪声环境下更有力地进行操作。
主要特点
一百十分之四十〇 GHz的跃迁频率允许应用
到18 GHz及以后
高增益的13.5分贝在12GHz为1.45 dB的低噪声系数
1.8 GHz高线性度的34 dBm的（ OIP3 ）
耗时仅为3 mA至产生13.5分贝增益为12 GHz的
塑料表面贴装封装SOT343F高
性能和易于制造
应用
需要宽带应用
- 低噪声放大器
- 高线性度和高输出放大器
- 缓冲放大器
- 搅拌机
- 振荡器
在这个家庭中sixth- （ Si）和seventh-设备（硅锗碳）
代RF晶体管可被用于执行几乎任何射频
功能。例如， BFUx10F ， BFUx30F ， BFU725 / N1
选型指南 - 功能
功能
频率】
范围
类型带
较高的转换频度（ 40至110千兆赫）使较高
应用程序的频率（七十七分之二十四GHz的倒车雷达， 18 GHz的Ka波段，
3.5-3.7 WiMas等），并且所述设备满足低电流
宽带应用的要求。
其结果是，这些设备是非常适合用于在一个很宽的
的应用范围：第二和第三LNA级和
在DBS LNB的混频级，嘉/ Ku波段数字读出器，卫星广播
（ SDARS ） LNA ， C波段/ X波段高输出缓冲放大器，
AMR ， WLAN /无线网络的ZigBee ，蓝牙， FM收音机， GPS，蜂窝
（ LTE ， UMTS ） ，手机电视， RKE ，高线性度应用的低
目前的电池装备的应用，低噪声放大器
微波通信系统中，介质输出功率
应用中，微波驱动器/缓冲器的应用，等等。
低噪声放大器，混频器，倍频器，缓冲器
<6 GHz
L，S ，C
•
•
•
•
•
•
•
•
•
6 GHz – 12 GHz
X ，KU低
•
•
12 GHz –
+18 GHz
古高嘉
高线性度，高输出放大器&司机
<6 GHz
L，S ，C
•
•
•
•
•
•
•
6 GHz – 12 GHz
X ，KU低
12 GHz – 18 GHz
古高
<6 GHz
L，S ，C
•
•
•
•
•
•
•
•
振荡器
6 GHz – 12 GHz
X ，KU低
12 GHz –
+18 GHz
古高嘉
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
红
=应用笔记提供NXP.com
选型指南 - 规范
V
首席执行官
[ MAX] （ V）
f
T
[典型值] （千兆赫）
I
C
[ MAX] （毫安）
Typenumber
PL
(1dB)
[典型值]
（ dBm的）
GENERATION
P
合计
[ MAX]
（ mW）的
IP3 [typ]
（ dBm的）
@ F（千兆赫）
@ F（千兆赫）
@ F（千兆赫）
@ F（千兆赫）
@ I
C
= （MA）
@ I
C
= （MA）
@ I
C
= （MA）
@ I
C
= （MA）
包装†
名字
@ V
CE
(V)
@ V
CE
(V)
@ V
CE
(V)
包
极性
NF（ dB）的
SOT343F
SOT343F
SOT343F
SOT343F
SOT343F
SOT343F
SOT343F
SOT343F
SOT343F
DFP4
DFP4
DFP4
DFP4
DFP4
DFP4
DFP4
DFP4
DFP4
6
th
6
th
6
th
6
th
7
th
7
th
7
th
7
th
7
th
15
21
21
18
43
55
55
45
25
5.5
5.5
5.5
5.5
2.8
2.8
2.8
2.8
2.8
10
30
60
100
10
40
30
70
100
136
200
225
230
136
136
197
220
234
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
1.1
0.85
0.6
0.6
0.85
0.7
0.8
0.4
0.4
2.4
2.4
1.5
1.5
5.8
5.8
5.8
1.5
1.5
2
3
6
15
2
5
5
12
20
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1.7
1.3
1.2
0.7
1.45
1.1
1.3
0.5
0.5
NF（ dB）的
5.8
5.8
5.8
2.4
12
12
12
2.4
2.4
2
3
6
15
2
5
5
12
20
2
2
2
2
2
2
2
2
2
3
12.5
18.5
20
4.5
8
12.5
18.5
19
5.8
5.8
5.8
2.4
5.8
5.8
5.8
5.8
2.4
10
30
60
70
5
25
15
30
60
1.5
2.5
4
4
2.5
2
2.5
2.5
2.5
18
27.5
28
33
19.5
19
29
33
34
5.8
5.8
5.8
2.4
5.8
5.8
5.8
5.8
2.4
10
30
40
70
10
25
20
30
30
恩智浦半导体RF手册16
th
版
@ V
CE
(V)
1.5
2.5
4
4
1.5
2
2.5
2.5
2.5
65
重点应用，
产品&技术
可以用作低噪声放大器，而BFUx60F
和BFUx90F可以用作高线性度和高输出
放大器。其它选项包括使用这些晶体管作为
缓冲放大器，混频器和振荡器。
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
