2.3.2
完整的卫星组合的所有LNB架构
恩智浦卫星LNB设备TFF101xHN ， BFU710F / 730F和BGA28xx
设计用于低噪声放大器的使用，混频器和中频放大器，这些强大的，小尺寸的产品是最新的
添加到恩智浦领先的产品组合的卫星LNB架构。他们在恩智浦的制造
突破性的QUBiC4X的SiGe ： C和QUBiC4 +工艺技术。
完全集成的Ku波段下变频器TFF101xHN
该TFF101xHN是一家完全集成下变频器
用于Ku波段的LNB 。他们给的条件最佳的RF性能
相位噪声，增益和最低的电流噪声系数
在市场上的消耗。
Ku波段下变频器TFF101xHN / N1为LNB
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典型应用：通用型单LNB &双LNB
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超低消耗电流： 52毫安了PVT
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只有7个外部元件
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无电感器
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单电源域： 5 V
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采用低成本的基本25 MHz晶振
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高PL1dBo = 6 dBm的/ 3OIPo = 16 dBm的
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最佳的一流的PN < 1.4度RMS
- 10千赫至13兆赫的集成带宽
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提供多种增益类型
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平坦增益频率（ < 2 dBpp的）
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输入&输出匹配50 Ω
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小型无引线DHVQFN16封装（ 2.5 ×3.5× 0.85毫米）
RF晶体管BFU710F / 730F
该BFU710F和BFU730F是宽带RF晶体管，可
被用作低噪声放大器或作为混合器的DBS LNB在Ku波段。
在任一应用程序，它们提供良好的噪声和线性度，一
较高的增益以较低的电流消耗相比，其
的GaAs pHEMT的等同物和硅的成本优势。
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典型应用： LNA2单输出高频头
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总体类似的射频性能与GaAs PHEMT低噪声放大器
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功耗： 3.5毫安
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单电源： 3/5/6 V
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高RF增益： 13.5分贝
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低噪声系数： 1.6分贝
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线性度（ OIP3 ） ： 12 dBm的
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典型应用：有源混频器，用于单输出高频头
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单电源3/5/6 V
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低功耗： 2.5毫安
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LO驱动<为0 dBm
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SSB噪声系数< 8分贝（包括带通滤波器的输入端）
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SSB转换增益> 5分贝（包括带通滤波器的输入端）
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线性度（ OIP3 ） >为0 dBm
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LO- RF隔离分钟20分贝
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RF匹配优于10分贝
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如果匹配，则比8分贝好
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典型应用： LNA2和LNA3多输出LNB
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总体类似的射频性能与GaAs PHEMT低噪声放大器
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功耗： 11毫安
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单电源3/5/6 V
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非常高的射频增益： 11.5分贝
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低噪声系数： 1.25分贝
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线性度（ OIP3 ） > 17 dBm的
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回波损耗> 10分贝
MMIC产品BGA28xx为中频放大器（第一阶段&输出
舞台）
为了与现有设计的兼容性，该系列采用市场
标准封装：在SOT363和引脚兼容
SOT363F 。钉扎等同于恩智浦的电流增益
阻止家人和块提供类似的噪声系数。新
特点包括平坦的增益，正增益斜度，提高
P1dB为VS国际会议中心，也没有必要的输出电感。
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内部匹配的50 Ω
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增益斜率> 0.5分贝
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恩智浦半导体RF手册16
th
版
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
