5.6
低电压检测系统(LVD)
MC9S08AC16 系列包含一个预防低电压的保护系统，在电压变更时用来保护存储器的内容和控制MCU
系统状态。这个系统是由一个上电复位(POR) 电路和一个LVD 电路( 用户选择触发电压，高电压VLVDH 或
者低电压VLVDL)。当SPMSC1 的LVDE 为高并且触发电压通过SPMSC2 的LVDV 位被选择时，LVD 电路
被激活。如果LVDSE 位没有被置位，停止模式中不能使用LVD。如果LVDSE 和LVDE 都被置位，则MCU
不能进入停止模式1 和停止模式2，并且由于LVD 被激活的停止模式3 的功耗将会变大。
5.6.1
上电复位操作
当MCU 刚通电时，或者当供应电压降落到VPOR 以下时，POR 电路将会产生一个复位条件。随着供应
电压的升高，LVD 电路将保持芯片在复位状态直到供电电压升高到大于VLVDL。伴随着上电复位，SRS 的
POR 位和LVD 位都将被置位。
5.6.2
LVD 复位操作
此时LVD 能被设置为在侦测到一个低电压条件时( 即LVDRE 为1 时) 产生一个复位。LVD 复位发生后，
LVD 系统将会保持MCU 在复位状态直到供应电压升高到高于由LVDV 设定的电压。伴随着LVD 复位或者上
电复位，SRS 寄存器的LVD 位将被置位。
5.6.3
LVD 中断操作
当一个低电压条件被侦测到，并且LVD 电路被设置为中断操作(LVDE 置位，LVDIE 置位，LVDRE 清零
)，然后LVDF 将会被置位且一个LVD 中断将发生。
5.6.4
低电压警告(LVW)
LVD 系统有一个低电压警告标志位用以告诉用户供应电压已经接近LVD 电压，但是目前还在LVD 电压以
上。LVW 没有与此相关的中断。LVW 有两个触发电压可供选择，高的VLVWH 和低的VLVWL。触发电压通过
SPMSC2 寄存器的LVWV 位选择。不推荐设置LVW 触发电压等于LVD 触发电压。LVW 的典型使用是选择
V
LVWH 和VLVWL
5.7
实时中断(RTI)
实时中断功能经常用来产生定期中断。RTI 接受两个时钟源，1 kHz 内部时钟源或外部时钟。1 kHz 内部
时钟源完全独立于任何总线时钟源，只被用于RTI 模块，在某些MCU 中也可用于COP 看门狗。使用外部时
钟源，它必须可用而且可行。SRTISC 的RTICLKS 位是用来选择RTI 时钟源。
MCU 在运行、等待或stop3 模式下，其中一个RTI 时钟源可以使用。当在stop3 下使用外部晶振，必须
在stop 下使能（OSCSTEN=1）而且配置为低带宽操作（RANGE=0）。从stop2 模式下唤醒MCU 只能选
择1 kHz 内部时钟源。
寄存器SRTISC 包括一个只读状态标志位，一个只写确认位，和一个3 位的控制值(RTIS2:
RTIS1:RTIS0)，该3 位用于禁止实时中断的时钟源或者选择7 个唤醒延迟时间中的一个。RTI 的本地中断使
能RTIE 可用于屏蔽实时中断。写RTIS 的每位为0 禁止RTI，将没有中断产生。5.9.7 节 系统实时中断状态
和控制寄存器(SRTISC)，给出了各寄存器的细节信息。
MC9S08AC16 系列微控制器数据手册, 第6 版
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