表4-11. FPROT 寄存器域描述
域
描述
7:1
FPS[7:1]
Flash 保护区域选择——当FPDIS = 0，这7 位决定在高地址位的flash 末端的未被保护flash 区域的末地址，
受保护的flash 区域不可被擦写。
Flash 保护禁止位
0 禁止flash 块保护。
1 由FPS0[7:1] 决定的flash 区域被块保护( 不允许写入和擦除)。
0
FPDIS
4.6.5
Flash 状态寄存器(FSTAT)
第0，1，3 位一直读为0 且对它的写入都是无效且没有意义的。剩下的五位都是状态位，它们任何时刻
都是可读的。向这些位写入是有特殊的意义的，这些意义在下面描述。
7
6
5
4
3
2
1
0
读
写
FCCF
0
FBLANK
0
0
FCBEF
FPVIOL
FACCERR
复位
1
1
0
0
0
0
0
0
= 未使用或保留
图 4-10. flash 状态寄存器（FSTAT）
表4-12. FSTAT 寄存器域描述
描述
域
Flash 命令缓冲区空标志位——FCBEF 位通常用来开始命令。在执行突发写入时，FCBEF 位标记命令缓冲区
为空，一个新的命令序列可以被执行。向FCBEF 位写1 或一个突发写入命令进入写入数组可以清FCBEF
位。只有突发写入命令可以被缓冲。
7
FCBEF
0 命令缓冲区满（不能被另外的命令使用）。
1 可以写入新的突发写入命令到命令缓冲区。
Fash 命令完成标志位——当命令缓冲区为空而且没有命令正被处理，FCCF 自动置位。当一个新的命令开始
（通过置1FCBEF 来存入命令），FCCF 自动清零。对FCCF 的写操作没有意义。
6
FCCF
0 命令处理中。
1 所有的命令都已经完成。
保护标志位——当FCBEF 位被清除来存入一个擦写命令试图访问保护区域时，FPVIOL 位自动置1( 这个错误
命令被忽略)。向FPVIOL 写1 可以自动清FPVIOL。
0 表示侵犯保护区域。
5
FPVIOL
1 表示试图对保护区域进行擦写操作。
访问出错标志位——当正常的命令序列没有正确的执行时（错误的命令被忽略），在FCDIV 寄存器初始化之
前尝试擦除或者写入操作；或者当命令正在处理时MCU 进入停止模式，FACCERR 被置位。会引起访问出错
的行为的详细讨论见 4.4.5 节 访问错误。向 FACCERR 位写1 将清FACCERR，向 FACCERR 写入0 是没有
意义和无效的。
4
FACCERR
0 没有访问错误发生。
1 表示一个访问错误已经发生。
Flash 空白标志位——如果执行空白检测命令检测到整个flash 都是被擦除的，FBLANK 位将自动置位。通过
清除FCBEF 来写入一个新的命令可以清FBLANK 位。向该位写入是没有意义和无效的。
0 一个空白检测命令完成之后且FCCF=1，FBLANK=0 表示flash 是非空。
2
FBLANK
1 一个空白检测命令完成之后且FCCF=1，FBLANK=1 表示flash 是空的，即所有的字节为$FF。
MC9S08AC16 系列微控制器数据手册, 第6 版
#
飞思卡尔半导体公司
NXP [ NXP ]
