表 4-7 列出了对PRDIV8 和DIV5:DIV0 设置不同数值时的flash 时钟频率。
表4-7. Flash 时钟分频器设置
PRDIV8
( 二进制)
DIV5:DIV0
( 十进制)
擦除/ 写入脉冲时间
( 最少5 μs, 最多6.7 μs)
fBus
fFCLK
20 MHz
10 MHz
8 MHz
1
0
0
0
0
0
0
0
12
49
39
19
9
192.3 kHz
200 kHz
200 kHz
200 kHz
200 kHz
200 kHz
200 kHz
150 kHz
5.2 μs
5 μs
5 μs
4 MHz
5 μs
2 MHz
5 μs
1 MHz
4
5 μs
200KHz
150KHz
0
5 μs
0
6.7 μs
4.6.2
Flash 选项寄存器(FOPT 和NVOPT)
复位时，非易失性的NVOPT 的内容从flash 拷贝到FOPT。第2 到5 位为无效位，读时一直为0。该寄
存器在任何时刻可读，但是写入没有任何影响。为了改变这个寄存器的值，象平常一样擦除或者写入flash 存
储器中的NVOPT 位置，然后执行MCU 复位。
7
6
5
4
3
2
1
0
读
写
KEYEN
FNORED
0
0
0
0
SEC01
SEC00
复位
在复位时，这个寄存器从非易失性区域NVOPT 中装载
= 未使用或保留
图 4-7. Flash 选项寄存器(FOPT)
表4-8. FOPT 寄存器域描述
描述
域
后门密钥机制使能——当这位为0 时，后门密钥机制不可用于离开保护模式。后门密
钥机制只能被保护的用户固件使用。BDM 命令不能用于改变密钥的值。更多的后门
密钥机制的描述见 4.5 节 保护机制。
7
0 禁止flash 保护密钥。
KEYEN
1 如果用户固件写的一个8 字节值与非易失性的后门密钥即
NVBACKKEY~NVBACKKEY+7 相匹配，保护模式暂时失效直到下一次MCU 复
位。
向量重定向禁止位——该位为1 时，向量重定向不可用。
0 向量重定向使能。
1 向量重定向禁止。
6
FNORED
保护状态码——这两位决定MCU 的保护状态，详见表 4-9。当MCU 在保护模式时，
flash 和RAM 的内容不能被任何来自非法源( 包括背景调试接口) 的指令访问。保护
模更详细的信息参见 4.5 节 保护机制。
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SEC0[1:0]
MC9S08AC16 系列微控制器数据手册, 第6 版
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飞思卡尔半导体公司
NXP [ NXP ]
