4.4.4
突发模式写入的执行
突发模式写入通常写入连续字节的数据，与标准写入命令相比需要更少的时间。这可能是因为写入时
flash 阵列中的高电压持续有效。通常，当发出写入或擦除命令时，必须使能flash 存储器相关的内部电荷泵来
为阵列提供高电压。命令完成后电荷泵被关闭。在突发模式写入命令中，电荷泵被启动，并在满足下面两个条
件的情况下，电荷泵保持打开，直到突发模式写入操作完成。
• 当前的写入操作完成以前，下一个突发模式写入命令正在等待。
• 下一个连续地址选择了和当前正在写入的字节具有相同的物理行的字节。flash 内存行包括64 个字
节。每行的字节通过地址的A5 到A0 选择。一个新行的起始地址中的A5 到A0 全零。
注1：必须在复位后进行
写
FCDIV（注1）
flash 突发
写入流程
开始
0
FACCERR ?
1
清除错误
FCBEF?
向flash 写入来
缓存地址和数据
向FCMD 写入命令
注2：在检测FCBEF 或者FCCF
之前应至少等待4 个总线周期
向FCBEF 写入1 启动命
令和清FCBEF（注意2）
是
FPVIOL 或
FACCERR ?
错误退出
否
是
新的突发命令？
否
0
FCCF ?
1
结束
图 4-3. Flash 突发写入流程图
MC9S08AC16 系列微控制器数据手册, 第6 版
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