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Flash 容量
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MC9S08AC16 和MC9S08AW16：16384 字节（每页512 字节，共32 页）
MC9S08AC8 和MC9S08AW8：8192 字节（每页512 字节，共16 页）
• 单电源提供写入和擦除。
• 用于快速写入和擦除操作的命令接口
• 在正常的电压和温度下，可高达100000 次写入/ 擦除
• 灵活易用的块保护
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Flash 和RAM 的保护机制
• 自动低功耗的低频率读访问
4.4.2
写入和擦除时间
在执行任何一条擦除或者写入命令之前，必须首先设置flash 时钟分频寄存器（FCDIV），将flash 模块
的内部时钟设到150 kHz 到200 kHz 之间(fFCLK)，( 见 4.6.1 节 Flash 时钟分频寄存器(FCDIV))，这个寄存
器只能被写一次，所以一般在复位初始化中设置该寄存器。如果访问错误标志位（FSTAT 的FACCERR）被
置位，FCDIV 禁止写入。所以，用户在写FCDIV 寄存器前确保FACCERR 没有置位。设置好的时钟周期
（1/ fFCLK）被命令处理器用来对擦除和写入脉冲进行计时。命令处理器完成一个擦除或者写入操作的时间是
周期的整数倍。
表4-5 描述了写入和擦除的时间。总线时钟频率和FCDIV 决定了FLCK 的频率（fFCLK）FCLK 一个周期
的时间是tFCLK=1/fFCLK。表中各操作的时间分别由所需的FCLK 时钟周期以及tFCLK = 5 μs 的绝对时间来表
示。这个时间也包括了命令状态机的消耗，以及允许与禁止写入和擦除电压使用的时间。
表4-5. 写入和擦除时间
时间
参数
FCLK 周期
（FCLK=200 kHz）
9
4
45 μs
字节写入
字节写入（突发）
页擦除
20 μs1
4000
20000
20 ms
100 ms
整体擦除
1
不包括开始/ 结束的时间消耗
4.4.3
写入和擦除命令的执行
执行任何命令的步骤如下所列。FCDIV 寄存器必须被初始化，并且在开始执行命令前要将所有的错误标
志清零。命令的执行步骤是：
• 向要擦除的flash 区域的一个地址写入一个数值。这个写入的地址和数值的信息将被放在命令缓冲区
中。命令序列的第一步就是进行这个写入操作。对擦除和空白检测命令来说，这个数据的值是不重要
的。但是对于页擦除命令，这个地址必须是要擦除的512 字节的flash 页中的任意一个地址。对于整
体擦除命令和空白检测命令，这个地址可以是flash 存储器中的任意一个地址。512 字节的一整页是
flash 中可以擦除的最小块。在60K 版本中，用户可存取的块小于512 字节的情况有两种，分别是
RAM 后面的第一页和高地址寄存器后的第一页。
MC9S08AC16 系列微控制器数据手册, 第6 版
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