电气特性
注释
5.4.6.3.2 12 位 DAC 工作特性
表 69. 12 位 DAC 工作特性
符号
说明
最小值
典型值
最大值
单位
IDDA_DACL 供电电流 - 低功耗模式
—
—
330
μA
P
IDDA_DACH 供电电流 - 高速模式
—
—
—
—
—
—
100
15
1200
200
30
μA
μs
P
tDACLP 满量程建立时间（0x080 到 0xF7F）- 低功
1
1
1
耗模式
tDACHP 满量程建立时间（0x080 到 0xF7F）- 高功
μs
耗模式
tCCDACLP 代码-代码建立时间（0xBF8 到 0xC08）- 低
0.7
—
1
μs
功耗模式和高速模式
Vdacoutl DAC 输出电压范围低电平 - 高速模式，无负
载，DAC 设为 0x000
100
VDACR
mV
mV
Vdacouth DAC 输出电压范围高电平 - 高速模式，无负 VDACR
—
载，DAC 设为 0xFFF
−100
INL
DNL
DNL
积分非线性误差 - 高速模式
差分非线性误差 - VDACR > 2 V
差分非线性误差—VDACR = VREF_OUT
—
—
—
8
1
LSB
LSB
2
3
4
5
5
—
—
—
1
LSB
VOFFSET 偏移误差
EG 增益误差
PSRR 电源纹波抑制比，VDDA ≥ 2.4 V
—
0.4
0.8
0.6
90
—
%FSR
%FSR
dB
—
0.1
60
—
—
TCO
TGE
Rop
SR
温度系数偏移电压
3.7
μV/C
%FSR/C
Ω
6
温度系数增益误差
—
0.000421
—
—
输出电阻（负载 = 3 kΩ）
压摆率 -80h→ F7Fh→ 80h
—
250
V/μs
• 高功率(SPHP
• 低功率(SPLP
)
1.2
1.7
—
—
)
0.05
0.12
BW
3dB 带宽
• 高功率(SPHP
• 低功率(SPLP
kHz
)
550
40
—
—
—
—
)
1. 1 LSB 建立时间
2. INL 在 0 + 100 mV 至 VDACR −100 mV 范围内测得
3. DNL 在 0 + 100 mV 至 VDACR −100 mV 范围内测得
4. DNL 在 0 + 100 mV 至 VDACR −100 mV (VDDA > 2.4 V)范围内测得
5. 在 VSS + 100 mV 至 VDACR − 100 mV 范围内，利用最佳拟合曲线计算
6. VDDA = 3.0 V，为 VDDA 选择基准（DACx_CO:DACRFS = 1），高功耗模式（DACx_C0:LPEN = 0），DAC 设为 0x800，
温度范围为器件的整个范围
KS22/KS20 Microcontroller, Rev 3, 04/2016
87
Freescale Semiconductor, Inc.
NXP [ NXP ]
