电气特性
符号
表 43. 电压和电流工作特性 (继续)
说明
最小值
—
典型值
最大值
0.5
单位
V
注释
2.7 V ≤ VDD ≤ 3.6 V, IOL = 3 mA
1.71 V ≤ VDD ≤ 2.7 V, IOL = 1.5 mA
所有端口的总输出低电流
全温度范围内的输入漏电流（每引脚）
除高驱动端引脚以外的所有引脚
高驱动端引脚
—
—
—
—
0.5
V
IOLT
IIN
—
100
mA
—
—
—
20
20
0.002
0.004
—
0.5
0.5
1.0
50
μA
μA
μA
kΩ
kΩ
1, 2
IIN
全温度范围的输入漏电流（所有引脚的总值）
内部上拉电阻
2
3
4
RPU
RPD
—
内部下拉电阻
—
50
1. PTB0、PTB1、PTD4、PTD5、PTD6、PTD7、PTC3 和 PTC4 I/O 同时具有高驱动和常规驱动能力，由相关的 PTx_PCRn[DSE]
控制位进行选择。所有其他 GPIO 都只有常规驱动能力。
2. 在 VDD = 3.6 V 的条件下测得
3. 在 VDD 供电电压 = VDD（最小值）且 Vinput = VSS 时测量
4. 在 VDD 电源电压 = VDD（最小值）且 Vinput = VDD 时测量
5.3.2.4 运行模式转换特性
下表中，除 tPOR 和 VLLSx→RUN 恢复时间外的所有特性均假定时钟配置如下：
• CPU 和系统时钟 = 80 MHz
• 总线时钟 = 40 MHz
• Flash 时钟 = 20 MHz
• MCG 模式：FEI
表 44. 功耗模式转换特性
符号
说明
最小值
典型值
最大值
单位
注释
tPOR
POR 事件后，芯片工作温度范围内从 VDD 达到
1.71 V 到执行第一条指令所需的时间。
—
—
300
μs
1
• VLLS0 → RUN
• VLLS1 → RUN
• VLLS2 → RUN
• VLLS3 → RUN
• LLS2 → RUN
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
140
140
80
μs
μs
μs
μs
μs
80
6
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NXP Semiconductor, Inc.
KS22/KS20 Microcontroller, Rev 3, 04/2016
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