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型号: KS22
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内容描述: [KS22/KS20 Microcontroller 120 MHz ARM® Cortex®-M4 ,具有高达 256 KB Flash]
分类和应用: 微控制器
文件页数/大小: 108 页 / 3705 K
品牌: NXP [ NXP ]
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电气特性  
符号  
40. 电压和电流工作要求 (继续)  
说明  
最小值  
最大值  
0.1  
0.1  
3.6  
3.6  
单位  
V
注释  
VDD – VDDA VDD VDDA 差分电压  
VSS – VSSA VSS VSSA 差分电压  
–0.1  
–0.1  
V
VBAT  
USBVDD USB 收发器供电电压  
VIH 输入高电压  
• 2.7 V ≤ VDD ≤ 3.6 V  
• 1.7 V ≤ VDD ≤ 2.7 V  
RTC 电池供电电压  
1.71  
V
3.0  
V
1
0.7 × VDD  
0.75 × VDD  
V
V
VIL  
输入低电压  
0.35 × VDD  
0.3 × VDD  
V
V
• 2.7 V ≤ VDD ≤ 3.6 V  
• 1.7 V ≤ VDD ≤ 2.7 V  
VHYS  
IICIO  
输入迟滞  
0.06 × VDD  
-3  
V
模拟和 I/O 引脚直流注入电流 单引脚  
• VIN < VSS-0.3V(负电流注入)  
2
3
mA  
IICcont  
连续引脚 DC 注入电流 区域限制,包括 16 个连续  
引脚的负注入电流之和或正注入电流之和  
负电流注入  
-25  
mA  
VODPU  
VRAM  
开漏上拉电平  
VDD  
1.2  
VDD  
V
V
V
保持 RAM 数据所需的 VDD 电压  
VRFVBAT 保持 VBAT 寄存器文件所需的 VBAT 电压  
VPOR_VBAT  
1. USB 标称工作电压为 3.3 V。  
2. 所有模拟引脚和 I/O 引脚通过 ESD 保护二极管内部钳位至 VSS 上。如果 VIN 小于 VIO_MIN 或大于 VIO_MAX,则此处需要限  
流电阻。负直流注入电流的限流电阻计算公式是:R=(VIO_MIN-VIN)/|IICIO|。  
3. 开漏输出必须上拉至 VDD。  
5.3.2.2 HVDLVD POR 工作要求  
41. VDD 电源 HVDLVD POR 工作要求  
符号  
VHVDH  
VHVDL  
VPOR  
说明  
最小值  
典型值  
3.72  
3.46  
1.1  
最大值  
单位  
V
注释  
高压检测(高启动点)  
高压检测(低启动点)  
VDD 电压下降 POR 检测电压  
电压下降低电压检测门限高范围 (LVDV=01)  
低压警告阈值 高范围  
• 1 级压降 (LVWV=00)  
• 2 级压降 (LVWV=01)  
V
0.8  
1.5  
V
VLVDH  
2.48  
2.56  
2.64  
V
1
VLVW1H  
VLVW2H  
VLVW3H  
2.62  
2.72  
2.82  
2.70  
2.80  
2.90  
2.78  
2.88  
2.98  
V
V
V
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56  
NXP Semiconductor, Inc.  
KS22/KS20 Microcontroller, Rev 3, 04/2016  
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