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    BSH111 参数 Datasheet PDF下载

    BSH111图片预览
    型号： BSH111
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    内容描述： N沟道增强模式音响场效晶体管 [N-channel enhancement mode field-effect transistor]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 13 页 / 108 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号BSH111的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSH111的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSH111的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSH111的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSH111的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSH111的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BSH111的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BSH111的Datasheet PDF文件第9页  
    BSH111
    N-channel enhancement mode field-effect transistor
    Rev. 02 — 26 April 2002
    M3D088
    Product data
    1. Description
    N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
    TrenchMOS™ technology.
    Product availability:
    BSH111 in SOT23.
    2. Features
    s
    s
    s
    s
    TrenchMOS™ technology
    Very fast switching
    Low threshold voltage
    Subminiature surface mount package.
    3. Applications
    s
    Battery management
    s
    High speed switch
    s
    Logic level translator.
    4. Pinning information
    Table 1:
    Pin
    1
    2
    3
    Pinning - SOT23, simplified outline and symbol
    Description
    gate (g)
    3
    d
    Simplified outline
    Symbol
    source (s)
    drain (d)
    1
    Top view
    2
    MSB003
    g
    s
    MBB076
    SOT23

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