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BAS216,135 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BAS216,135
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内容描述: [0.25A, 85V, SILICON, SIGNAL DIODE, CERAMIC PACKAGE-2]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 9 页 / 78 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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NXP Semiconductors
Product data sheet
High-speed switching diode
BAS216
10
5
IR
(nA)
10
4
MSA563
handbook, halfpage
0.6
MBH285
Cd
(pF)
V R = 75 V
0.5
75 V
10
3
0.4
10
2
25 V
0.2
10
0
100
Tj
(
o
C)
200
0
0
4
8
12 V (V) 16
R
Dotted line: maximum values.
Solid lines: typical values.
f = 1 MHz; T
j
= 25
°C.
Fig.5
Reverse current as a function of junction
temperature.
Fig.6
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
2002 May 28
5