NXP Semiconductors
Product data sheet
Schottky barrier diode
GRAPHICAL DATA
MSA892
1PS76SB10
10
3
handbook, halfpage
IF
(mA)
10
2
(1) (2) (3)
10
3
IR
(μA)
10
2
(2)
(1)
MSA893
10
10
1
(1)
(2)
(3)
1
(3)
10
1
10
1
0
0.4
0.8
VF (V)
1.2
0
10
20
VR (V)
30
(1) T
amb
= 125
°C.
(2) T
amb
= 85
°C.
(3) T
amb
= 25
°C.
(1) T
amb
= 125
°C.
(2) T
amb
= 85
°C.
(3) T
amb
= 25
°C.
Fig.2
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
Fig.3
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
handbook, halfpage
15
MSA891
Cd
(pF)
10
5
0
0
10
20
VR (V)
30
T
amb
= 25
°C;
f = 1 MHz.
Fig.4
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
2004 Jan 26
4