Philips Semiconductors
Product specification
Schottky barrier diode
GRAPHICAL DATA
MBL886
1PS74SB23
handbook, halfpage
10
4
handbook, halfpage
10
5
MHB970
(1)
(2)
(3)
IF
(mA)
10
3
(1)
(2)
(3)
(4)
IR
(µA)
10
4
10
3
10
2
10
2
(4)
10
10
1
0
(1)
(2)
(3)
(4)
T
amb
= 125
°C.
T
amb
= 100
°C.
T
amb
= 75
°C.
T
amb
= 25
°C.
1
200
400
600
VF (mV)
800
0
10
20
VR (V)
30
(1) T
amb
= 125
°C.
(2) T
amb
= 100
°C.
(3) T
amb
= 75
°C.
(4) T
amb
= 25
°C.
Fig.2
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
Fig.3
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
10
3
handbook, halfpage
MBK571
Cd
(pF)
10
2
10
0
10
20
VR (V)
30
f = 1 MHz; T
amb
= 25
°C.
Fig.4
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
2003 Aug 04
4
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
