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    1N914T/R 参数 Datasheet PDF下载

    1N914T/R图片预览
    型号： 1N914T/R
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    内容描述： [DIODE 0.075 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode]
    分类和应用： 二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 55 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号1N914T/R的Datasheet PDF文件第1页浏览型号1N914T/R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N914T/R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1N914T/R的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1N914T/R的Datasheet PDF文件第6页浏览型号1N914T/R的Datasheet PDF文件第7页浏览型号1N914T/R的Datasheet PDF文件第8页  
    Philips Semiconductors
    Product specification
    High-speed diode
    1N914
    10
    3
    handbook, halfpage
    IR
    (µA)
    MGD006
    MGD004
    handbook, halfpage
    1.2
    10
    2
    Cd
    (pF)
    1.0
    (1)
    (2)
    (3)
    10
    0.8
    1
    10
    −1
    0.6
    10
    −2
    0
    100
    Tj ( C)
    o
    200
    0.4
    0
    10
    VR (V)
    20
    (1) V
    R
    = 75 V; maximum values.
    (2) V
    R
    = 75 V; typical values.
    (3) V
    R
    = 20 V; typical values.
    f = 1 MHz; T
    j
    = 25
    °C.
    Fig.5
    Reverse current as a function of junction
    temperature.
    Fig.6
    Diode capacitance as a function of reverse
    voltage; typical values.
    1999 May 26
    5

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