1N5819 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N5819
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内容描述：	肖特基势垒二极管 [Schottky barrier diodes]
分类和应用：	二极管
文件页数/大小：	9 页 / 41 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

Schottky barrier diodes

1N5817; 1N5818; 1N5819

handbook, halfpage

200

MBG433

handbook, halfpage

0.20

MBG436

(W)

VRWM

= 0.2

0.15

(

VRWM

= 0.5

VRWM

= 0.2

150

100

0.10

VRWM

= 0.5

0.05

30 V (V) 40

Fig.10 1N5819. Maximum permissible junction

temperature as a function of reverse voltage;

th j-a

= 100 K/W.

Fig.11 1N5819. Reverse power dissipation as a

function of reverse voltage (max. values);

th j-a

= 100 K/W.

1996 May 03

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