1N5819T/R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N5819T/R
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内容描述：	[1A, 40V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2]
分类和应用：	二极管
文件页数/大小：	9 页 / 41 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

Schottky barrier diodes

FEATURES

•

Low switching losses

•

Fast recovery time

•

Guard ring protected

•

Hermetically sealed leaded glass

package.

APPLICATIONS

•

Low power, switched-mode power

supplies

•

Rectifying

•

Polarity protection.

handbook, 4 columns

1N5817; 1N5818; 1N5819

DESCRIPTION

The 1N5817 to 1N5819 types are Schottky barrier diodes fabricated in planar

technology, and encapsulated in SOD81 hermetically sealed glass packages

incorporating Implotec

TM(1)

technology.

(1) Implotec is a trademark of Philips.

MAM218

Fig.1 Simplified outline (SOD81) and symbol.

1996 May 03

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