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D882 参数 Datasheet PDF下载

D882图片预览
型号: D882
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR ( NPN )]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 289 K
品牌: PFS [ SHENZHEN PING SHENG ELECTRONICS CO., LTD. ]
 浏览型号D882的Datasheet PDF文件第2页  
D882
晶体管( NPN )
TO-126
1.发射器
2.收集
3. BASE
123
最大额定值* T
A
= 25° ,除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
器件总功耗
结温
结温和存储温度
参数
价值
40
30
6
3
1.25
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能
受损。
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
V
CE
= 2V ,我
C
= 100毫安
I
C
=2A,
I
C
=2A,
I
B
= 0.2A
I
B
= 0.2A
I
C
=0.1mA
50
32
0.5
1.5
V
V
兆赫
符号
V( BR )
CBO
V( BR )
首席执行官
V( BR )
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
除非
TEST
否则
特定网络版)
40
30
6
1
10
1
60
400
典型值
最大
单位
V
V
V
uA
uA
uA
条件
IC = 100uA的,我
E
=0
I
C
= 10 mA时,我
B
=0
I
E
= 100毫安,我
C
=0
V
CB
= 40 V,I
E
=0
V
CE
= 30 V,I
B
=0
V
EB
=6V ,
I
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
= 1A
V
CE
=5 V,
F = 10MHz时
分类的hFE的
(1)
范围
R
60-120
O
100-200
Y
160-320
GR
200-400
网站:
WWW.PS-PFS.COM