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CRD13003BC 参数 Datasheet PDF下载

CRD13003BC图片预览
型号: CRD13003BC
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内容描述: NPN硅功率晶体管 [NPN SILICON POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 328 K
品牌: PFS [ SHENZHEN PING SHENG ELECTRONICS CO., LTD. ]
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CRD13003BC
( 9AC ) (天完成第一部分)
无铅
电气特性(T
a
= 25ºC除非另有规定)
描述
符号
测试条件
I
C
= 1mA时,我
E
=0
V
CBO
集电极 - 基极电压
**V
CEO ( SUS)
I
C
= 10毫安,我
B
=0
集电极 - 发射极( SUS )电压
I
CBO
V
CB
=700V
,
I
E
=0
收藏家切断电流
V
CB
=700V
,
I
E
=0, T
c
=100ºC
I
EBO
V
EB
= 9V ,我
C
=0
发射器切断电流
**h
FE
I
C
= 0.5A ,V
CE
=5V
直流电流增益
I
C
= 2A ,V
CE
=5V
集电极 - 发射极饱和电压
**V
CE (SAT)
I
C
= 0.5A ,我
B
=0.1A
I
C
= 1A ,我
B
=0.25A
I
C
= 1.5A ,我
B
=0.5A
I
C
= 1A ,我
B
=0.25A,T
c
=100ºC
基极发射极饱和电压
**V
BE (SAT)
I
C
= 0.5A ,我
B
=0.1A
I
C
= 1A ,我
B
=0.25A
I
C
= 1A ,我
B
= 0.25A ,T
c
=100ºC
动态特性
描述
电流增益带宽积
输出电容
开关时间
描述
启动时间
下降时间
贮存时间
符号
t
on
t
f
t
英镑
测试条件
V
CC
=125V
I
B1
= 0.2A ,我
B2
=0.2A
I
C
=1A
700
400
-
-
15
4.0
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
1.0
5.0
1.0
22
25
0.5
1.0
2.5
1.0
1.0
1.2
1.1
单位
V
V
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
符号
f
T
C
ob
测试条件
I
C
= 100mA时V
CE
=10V,
f=1MHz
V
CB
= 10V , F =为0.1MHz
4.0
-
典型值
-
21
最大
-
-
单位
兆赫
pF
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
1.1
0.7
4.0
单位
µs
µs
µs
记号
对于无铅无铅封装
CRD1
3003
BC
PXYY
“T”代表天完成线索
C = CDIL标志
P =工厂代码,N德里
X =制造年份
YY =周典
**脉冲测试: - PW = 300μS ,占空比= 2 %
µ
网站:
WWW.PS-PFS.COM