PE42650A
产品speci fi cation
热数据
虽然对于这部分的插入损耗非常低，
处理高功率RF信号时，该器件可
得到相当火爆。
耗散功率（ W）
图24.功耗
3.0
1 ：1的VSWR （ 50 OhmLoad ）
图24示出了所估计的功耗
一个给定的事件的RF功率电平。多重曲线
向显示VSWR的效果很差
条件。是目前短VSWR条件
电路负载的一部分可致显著更
功耗比正确的匹配。
图25示出了所估计的最大结
下部分为类似条件的。
注意，这两个图表的假设的情况下
（GND蛞蝓）温度保持在85℃。特
需要在该设计中进行考虑
印刷电路板以适当的散热远
的一部分，保持85℃最大外壳
温度。建议使用最好的设计
实践高功率QFN封装：多层
有散热孔的PCB的散热焊盘焊接到
封装的团状。特别护理也需要
提出以缓解部分下的焊接空洞。
2.5
2 ： 1 VSWR （ 25 OhmLoad ）
8 ： 1 VSWR （ 6.25 OhmLoad ）
20 ： 1 VSWR （ 2.5 OhmLoad ）
2.0
INF ： 1 VSWR （ 0 OhmLoad ）
Reliabil性限制
1
.5
1
.0
0.5
0.0
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
射频功率（dBm）
图25.最高结温
1
45
最高结温（ C）
1
40
1
35
1 ：1的VSWR （ 50 OhmLoad ）
表6.西塔JC
参数
西塔JC （ + 85°C ）
1
30
1
25
1
20
15
1
10
1
1
05
1
00
95
90
85
30
31
2 ： 1 VSWR （ 25 OhmLoad ）
8 ： 1 VSWR （ 6.25 OhmLoad ）
20 ： 1 VSWR （ 2.5 OhmLoad ）
INF ： 1 VSWR （ 0 OhmLoad ）
Reliabil性限制
民
典型值
15
最大
单位
C / W
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42 43
44
45
46
射频功率（dBm）
文档编号70-0267-02
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