PE42556
产品speci fi cation
图3.凹凸结构（颠簸）
倒装芯片封装
VDD
CTRL
VSS
表4.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
V
CTRL
V
LS
T
ST
T
OP
P
IN5
(50Ω)
V
ESD
参数/条件
电源电压
除了对任何输入电压
对于CTRL和LS输入
在CTRL输入电压
LS上的输入电压
存储温度范围
工作温度范围
9千赫
≤
1兆赫
1兆赫
≤
13.5 GHz的
电压ESD （HBM ）
6
ESD电压（机器型号）
民
-0.3
-0.3
最大
4.0
V
DD
+
0.3
4.0
4.0
150
85
图。 4,5
30
4000
300
单位
V
V
V
V
°C
°C
DBM
DBM
V
V
11
LS
12
D- GND
1
D- GND
10
GND
13
DGND
2
GND
9
RF1
14
3
RF2
-65
-40
8
GND
RFC
4
GND
7
6
5
注： 5.请参阅图4和图5 （低频图）为
推荐低频运行功率水平。
6.人体模型（ HBM ， MIL_STD 883方法3015.7 ）
表2.凹凸说明
撞
号
1
2, 13, 14
3, 5, 7, 9
4
6
8
10
11
12
撞
名字
V
SS
D- GND
GND
RF2
RFC
RF1
LS
V
DD
CTRL
描述
负电源电压或接地
连接（注3）
数字地
地
RF端口2
射频共
RF端口1
逻辑的选择 - 用于确定
定义为CTRL引脚（见表5 ）
标称3.3 V电源连接
CMOS逻辑电平
超过绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。操作应仅限于
在操作的限制范围表。手术
工作范围最大和绝对值之间
最长时间可能会降低可靠性。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS ™设备，观察
你将与其他使用相同的ESD防范措施
敏感的设备。虽然这个装置包含
电路，以保护其免受损坏，由于ESD ，
应采取预防措施，以避免超过
规定的额定值。
注： 3.使用VSS （凸点1 ， VSS = -VDD ）绕过和禁用
内部负电压发生器。连接VSS （凸点1 ）到GND
（VSS = 0V ），以使内部负电压发生器。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS ™
设备是免疫的闩锁。
表3.工作范围
参数
V
DD
正电源。
电压
V
DD
负电源
电压
I
DD
电源电流
(V
ss
= -3.3V, V
DD
= 3.0〜
3.6V ， -40 〜+ 85° C）
I
DD
电源电流
(V
ss
= 0V, V
DD
= 3.0〜 3.6V ，
-40 〜+ 85 ° C）
I
SS
负电源
当前
(V
ss
= -3.3V, V
DD
= 3.0〜
3.6V ， -40 〜+ 85° C）
控制电压高
控制电压低
P
IN
射频功率在
4
(50Ω):
9千赫
≤
1兆赫
1兆赫
≤
13.5 GHz的
0.7xV
DD
0.3xV
DD
图。 4,5
30
表5.控制逻辑真值表
典型值
3.3
-3.3
8.0
民
3.0
-3.6
最大
3.6
-3.0
12.5
单位
V
V
µA
LS
0
0
1
1
CTRL
0
1
0
1
RFC-RF1
关闭
on
on
关闭
RFC-RF2
on
关闭
关闭
on
逻辑选择（ LS ）
逻辑选择功能可用于确定
定义为CTRL引脚。
21.5
29.0
µA
杂散性能
该PE42556的典型杂散性能
-116 dBm的时候VSS = 0V （凸点1 = GND） 。如果进一步
改进是需要的，内部负电压
发电机可通过设置的VSS = -VDD被禁用。
-18.0
-24.0
µA
V
V
DBM
DBM
开关频率
该PE42556具有最大25 kHz的开关频率
当内部负电压发生器用于
（ bump1 = GND） 。在该PE42556能率
交换仅限于切换时间（表1） ，如果
设置一个外部负电源（ bump1 = VSS） 。
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第10 3
注： 4，请参考图4和图5（低频曲线图），用于
推荐低频运行功率水平。
文档编号70-0289-05
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