PE42540
产品speci fi cation
表4.绝对最大额定值
参数/条件
T
ST
存储温度范围
V
DD
电源电压
V
CTRL
控制电压V1和V2
P
IN
通径（ 50Ω ，射频功率的）
在9 kHz - 8 GHz的
P
最大
最大功率为终止（ 50Ω ）
9千赫
≤
6兆赫
1
6兆赫 - 8 GHz的
V
ESD
ESD HBM电压
RFC
所有引脚
2
开关频率
最大
+150
4
4
无花果。
4,5,6
无花果。
4,5,6
20
2000
1000
100
单位
°C
V
V
民
-60
-0.3
该PE42540具有最大25 kHz的开关
率时，内部负电压发生器
被使用（销31 = GND）。的速率的
PE42540可以切换为仅限定于
切换时间（表
1)
如果一个外部负
供给于（销31 = Vss的设置
EXT
).
可选的外部滑模变结构控制（VSS
EXT
)
DBM
V
V
V
V
ESD
ESD电压的MM ，所有引脚
3
注意事项： 1，不要超过20 dBm的
2. HBM ， MIL -STD 883方法3015.7
3. MM JEDEC JESD22 - A115 -A
对于正确的操作，在VSS
EXT
控制引脚必须
接地或连接到指定的VSS电压
in
表3中。
当在VSS
EXT
控制引脚
接地，在所述开关的FET偏置用
内部电压发生器。对于应用程序
需要尽可能低的杂散性能
VSS
EXT
可以从外部施加到旁路
内部负电压发生器。
杂散性能
该PE42540的典型杂散性能
是时-144 dBm的Vss的
EXT
= 0V （引脚31 = GND）。如果
进一步的改进是所希望的，内部
负电压发生器可以由被禁用
Vss的设置
EXT
= -V
DD
.
表5.真值表
状态
RF1上
RF2上
RF3上
RF4上
V1
0
1
0
1
V2
0
0
1
1
超过绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。操作应
仅限于限制在工作范围
表。工作范围的操作
最高和绝对最大的扩展
期间可能会降低可靠性。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS
®
设备，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，而UltraCMOS
®
设备是免疫的闩锁。
湿度敏感度等级
对湿度敏感等级评级
PE42540在32引脚5×5毫米LGA封装是
MSL3.
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文档编号70-0299-08
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的UltraCMOS
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RFIC解决方案
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