PE4246
产品speci fi cation
图3.引脚配置
V
DD
GND
RF1
1
2
3
裸露
焊盘
（底部）
设备描述
该
PE4246高隔离度单刀单掷射频开关
6
5
4
RF2
GND
CTRL
设计为支持各种应用
其中，高隔离性能要求
和非反射的输入和输出是期望的。
此开关能够代替多个较小
在一个非常小的3 x 3毫米DFN执行switches
足迹。
表4.直流电特定网络阳离子
参数
民
2.7
典型值
3.0
33
最大
3.3
40
5
0.3xV
DD
单位
V
µA
V
V
表2.引脚说明
针
号
1
2
3
4
5
6
V
DD
电源
针
名字
V
DD
GND
RF1
CTRL
GND
RF2
描述
标称3V的电源连接。
1
接地连接。
3
RF端口。
2
I
DD
电源电流
(V
DD
= 3 V, V
CNTL
= 3 V)
控制电压高
控制电压低
0.7xV
DD
0
CMOS或TTL逻辑电平：
高RF1 = RF2到信号路径
低RF1 = RF2从隔离
接地连接。
3
RF端口。
2
表5.控制逻辑真值表
控制电压
CTRL = CMOS或TTL高
CTRL = CMOS或TTL低
信道
RF1到RF2
从RF1 RF2隔离
注： 1，旁路电容应尽可能靠近
到销。
2.两个RF引脚必须阻止直流通过外部电容
或保持在0 V
DC
.
3.裸焊盘必须焊接到接地平面为
正确的开关性能。
控制逻辑
该控制逻辑输入引脚（ CTRL ）通常
由一个3伏的CMOS逻辑电平信号来驱动，并且
具有Ⅴ的50％的阈值
DD
。对于灵活性
有5伏的控制逻辑支持系统
的驱动程序，所述控制逻辑的输入已经被设计
处理一个5伏逻辑高电平信号。 （A最小
电流将源出的V
DD
脚的时候
控制逻辑输入电压超过V
DD
.)
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS ™器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表3规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS ™
设备是免疫的闩锁。
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
T
ST
T
OP
P
IN
V
ESD
参数/条件
电源电压
在CTRL输入电压
储存温度
工作温度
输入功率（ 50
Ω),
CTRL=1/CTRL=0
ESD电压
（人体模型）
民
-0.3
-0.3
-65
-40
最大
4.0
5.5
150
85
33/24
200
单位
V
V
°C
°C
DBM
V
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在直流电气规格表的限制。
置身于绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的可靠性。
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文档编号70-0090-05
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的UltraCMOS RFIC ™解决方案
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