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EK42510-01 参数 Datasheet PDF下载

EK42510-01图片预览
型号: EK42510-01
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内容描述: SPDT大功率的UltraCMOS RF开关30 - 2000兆赫 [SPDT High Power UltraCMOS RF Switch 30 - 2000 MHz]
分类和应用: 开关光电二极管
文件页数/大小: 7 页 / 376 K
品牌: PEREGRINE [ PEREGRINE SEMICONDUCTOR CORP. ]
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PE42510A
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration (顶视图)
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
RFC
32
31
30
29
28
27
26
25
表3.工作范围
参数
频带
30
典型值
最大
2000
40
27
单位
兆赫
DBM
DBM
V
uA
V
GND
RF1
GND
GND
GND
GND
GND
GND
1
2
24
23
GND
RF2
GND
GND
GND
GND
GND
GND
RF输入功率
1
( VSWR
8:1)
RF输入功率
2
( VSWR
8:1)
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流
控制电压高
1.4
3.2
3.3
90
3
4
5
6
7
8
22
3.4
170
裸露
21
20
19
18
17
控制电压低
工作温度范围
(案例)
T
j
工作结
温度
注:1。供应偏
2.供应偏见
-40
0.4
85
140
V
°C
°C
10
11
12
13
14
15
V
DD
GND
GND
GND
GND
N / C
CTRL
N / C
16
9
表2.引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
表4.绝对最大额定值
符号
参数/条件
电源电压
任何直流输入电压
存储温度范围
最大外壳温度
最大峰值结
温度(最长10秒)
RF输入功率
(电压驻波比20 :1, 10秒)
RF输入功率( 50Ω )
RF输入功率,公正的
(电压驻波比20: 1)
最大功率耗散因
射频插入损耗
电压ESD (HBM , MIL_STD 883
方法3015.7 )
最小值最大值单位
-0.3
-0.3
-65
4
V
DD
+
0.3
150
85
200
40
45
27
2.2
2000
V
V
°C
°C
°C
DBM
DBM
DBM
W
V
引脚名称
GND
RF1
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
N / C
V
DD
CTRL
GND
GND
N / C
GND
GND
GND
GND
GND
GND
RF2
GND
GND
GND
GND
RFC
GND
GND
GND
GND
GND
描述
RF1端口
无连接
标称3.3 V电源连接
控制
不要连接
RF2端口。
用于交换机常见的RF端口
裸露地面桨
V
DD
V
I
T
ST
T
T
j
P
IN
P
D
V
ESD
绝对最大额定值
超过绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。操作应限制在
在工作范围表的限制。经贸合作
工作范围最大和绝对最大值
长时间可能会降低可靠性。
静电放电( ESD )注意事项
在处理这个的UltraCMOS ™设备,观察
你将与其他使用相同的ESD防范措施
敏感的设备。虽然该设备包含的电路
以保护其免受因ESD损坏,预防措施
要注意避免超过规定的等级。
闭锁避免
与传统的CMOS器件,的UltraCMOS ™
设备是免疫的闩锁。
表5.控制逻辑真值表
路径
RFC - RF1
RFC - RF2
湿度敏感度等级
对湿度敏感等级等级为5×5 QFN
包是MSL3 。
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第2 7
CTRL
H
L
的UltraCMOS RFIC ™解决方案
文档编号70-0266-01