PE42641
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
GND
RF2
RF1
N / C
表5.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
销1
参数/条件
电源电压
任何直流输入电压
存储温度范围
RF输入功率（50
Ω)
3,4
824-915兆赫
民
-0.3
-0.3
-65
最大
4.0
V
DD
+ 0.3
+150
+38
单位
V
V
°C
16
14
15
13
GND
V
DD
V2
V1
1
2
3
4
12
11
10
9
GND
蚂蚁
GND
GND
T
ST
GND
P
IN
(50
Ω)
DBM
RF输入功率（50
Ω)
3,4
1710年至1910年兆赫
RF输入功率（ VSWR = （ ∞ ： 1 ）
3,4
824-915兆赫
RF输入功率（ VSWR = （ ∞ ： 1 ）
3,4
1710年至1910年兆赫
ESD电压， ANT引脚
+36
+35
DBM
+33
4000
2000
V
V
5
6
7
8
GND
GND
RF4
表3.引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
引脚名称
GND
V
DD
V2
V1
GND
RF4
GND
RF3
GND
GND
蚂蚁
GND
RF1
GND
RF2
N / C
地
供应
开关控制输入端， CMOS逻辑电平
开关控制输入端， CMOS逻辑电平
地
RF端口4
地
RF端口3
地
地
RF通用 - 天线
地
RF端口1
地
RF端口2
无连接
描述
RF3
P
IN
(∞:1)
V
ESD
5
ESD电压，所有引脚
注： 3，假设4620 RF输入周期
µs
和占空比为50 ％的周期。
4. V
DD
内的操作范围指定在表3中。
5. ESD电压（ HBM ， MIL -STD- 883方法3015.7 ）
超过绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。操作应
仅限于限制在工作范围
表。工作范围的操作
最高和绝对最大的扩展
期间可能会降低可靠性。
表6.真值表
路径
ANT - RF1
ANT - RF2
ANT - RF3
ANT - RF4
V2
0
1
0
1
V1
0
0
1
1
表4.工作范围
参数
温度范围
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流
(V
DD
= 2.75 V)
RF输入功率
2
（ VSWR
≤
3:1)
824-915兆赫
RF输入功率
2
（ VSWR
≤
3:1)
1710年至1910年兆赫
控制电压高
控制电压低
P
IN
+33
V
IH
V
IL
1.4
0.4
V
V
符号最小值典型值最大值单位
T
OP
V
DD
I
DD
-40
2.65 2.75
13
+85
2.85
50
°C
V
µA
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS ™器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS ™
设备是免疫的闩锁。
+35
DBM
注： 2.假设4620 RF输入周期
µs
和占空比为50 ％的周期。
文档编号70-0216-05
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第3 9
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