PE4304
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
GND
C0.5
C1
C2
C4
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
存储温度范围
工作温度
输入功率（ 50
Ω)
静电放电电压（人体
民
-0.3
-0.3
-65
-40
最大
4.0
V
DD
+
150
85
24
500
单位
V
V
°C
°C
DBM
V
20
19
18
17
16
C16
RF1
数据
时钟
LE
1
2
3
4
5
10
15
C8
RF2
P / S
VSS / GND
GND
T
ST
T
OP
P
IN
V
ESD
20引脚QFN
4x4mm
裸露焊盘
14
13
12
11
6
7
8
9
表4.直流电特定网络阳离子
参数
V
DD
电源
电压
I
DD
电源电流
数字输入高
0.7xV
DD
0.3xV
DD
1
V
DD
V
DD
PUP1
PUP2
GND
民
2.7
典型值
3.0
最大
3.3
100
单位
V
µA
V
V
µA
表2.引脚说明
针
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
桨
针
名字
C16
RF1
数据
时钟
LE
V
DD
PUP1
PUP2
V
DD
GND
GND
V
ss
/ GND
P / S
RF2
C8
C4
C2
GND
C1
C0.5
GND
描述
衰减控制位， 16分贝（注4 ） 。
RF端口（注1） 。
串行接口数据输入（注4 ） 。
串行接口的时钟输入。
锁存使能输入（注2 ） 。
电源引脚。
开机选择位， MSB 。
开机选择位， LSB 。
电源引脚。
接地连接。
接地连接。
负电源电压或接地
连接（注3）
并行/串行模式选择。
RF端口（注1） 。
衰减控制位，8个分贝。
衰减控制位，4分贝。
衰减控制位，2个分贝。
接地连接。
衰减控制位，1分贝。
衰减控制位，0.5分贝。
地正确操作
数字输入低电平
输入漏
裸露焊盘连接
上的底部裸露的焊盘
包装必须接地以正确的设备
操作。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS ™器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表3规定的费率。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS ™
设备是免疫的闩锁。
开关频率
该PE4304具有最大25 kHz的开关
率。
电阻上的引脚1 & 3
在输入一个10 kΩ的电阻到引脚1 & 3 （见
图5 ）将消除共振包
之间的射频输入引脚和两个数字
输入。指定的衰减与错误
频性能取决于此
条件。
文档编号70-0066-03
│
的UltraCMOS RFIC ™解决方案
注1 ：这两个射频端口必须DC封锁与外部串联
电容或为0V举行
DC
.
2 ：锁存使能（ LE ）内部有一个100 kΩ电阻到V
DD.
3 ：连接引脚12至GND ，使内部负电压
发电机。连接引脚12至V
SS
(-V
DD
）绕过和
禁用内部负电压发生器。
4.将一个10 kΩ的电阻串联，尽量靠近引脚放置。
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PEREGRINE [ PEREGRINE SEMICONDUCTOR CORP. ]
