PE4280
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
18 VSS / GND
19 GND
20 VDD
17 C1
表3.绝对最大额定值
符号
参数/条件
电源电压
在CTRL输入电压
射频连续波功率
储存温度
工作温度
ESD电压
（人体模型）
-65
-40
民
-0.3
-0.3
最大
4.0
V
DD
+
0.3
24
150
85
1000
单位
V
V
DBM
°C
°C
V
16 C2
V
DD
V
I
P
RF
15 GND
14 GND
13 RF2
12 GND
11 GND
GND 1
GND 2
RF1 3
GND 4
GND 5
GND 10
T
ST
T
OP
V
ESD
表4.直流电气规格@ 25°C
GND 6
7 GND
9 GND
RFC 8
参数
V
DD
电源
I
DD
电源电流
(V
DD
= 3 V)
民
2.7
典型值
3.0
8
最大
3.3
20
单位
V
µA
V
4×4毫米20引脚QFN封装
表2.引脚说明
号
1
2
3
1
4
5
6
7
8
1
9
10
11
12
13
1
14
15
16
2
17
2
18
3
19
20
PAD
注意事项：
1.射频引脚3,8 ，和13必须是在0伏。 RF引脚不需要DC
隔直电容才能正常工作，如果0 VDC要求得到满足。
2.在引脚16和17是在CMOS控制，设置三个操作
状态。
3.连接引脚18至GND ，使片上负电压发生器。
连接引脚18至V
SS
（ -3 V）绕过和禁用内部-3 V电源
发电机。另请参阅第“的开关频率。 ”
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名字
GND
GND
RF1
GND
GND
GND
GND
RFC
GND
GND
GND
GND
RF2
GND
GND
C2
C1
VSS / GND
GND
VDD
GND
描述
地
地
RF I / O
地
地
地
地
常见
地
地
地
地
RF I / O
地
地
控制2
控制1
负电源选项
地
供应
地垫
控制电压高
控制电压低
70% V
DD
30% V
DD
V
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个UTSI设备，观察
你将与其他使用相同的注意事项
ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS ™
设备是免疫的闩锁。
开关频率
该PE4280具有最大25 kHz的开关
率时，内部负电压发生器
被使用（销18 = GND）。的速率的
PE4280可以切换为仅限定于
切换时间如果外部-3 V电源
在引脚18 （V提供
SS
).
文件编号70-0164-01预发布
│
的UltraCMOS RFIC ™解决方案
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