PE4274
初步speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
18 VSS / GND
VDD
19 GND
17 C1
16 C2
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
参数/条件
电源电压
在CTRL输入电压
在RFC ， RF1 ， RF2射频功率
终止/通过
储存温度
工作温度
ESD电压
（人体模型）
民
-0.3
-0.3
最大
4.0
V
DD
+
0.3
24/33
单位
V
V
DBM
°C
°C
V
20
GND
GND
RF1
GND ， RF1期限。
GND
1
GND
2
3
4
5
150
150
75
75
15 GND
14 GND
13
RF2
P
RF
T
ST
T
OP
V
ESD
-65
-40
1,000
+150
+85
12 GND ， RF2期限。
11 GND
GND 10
表4.直流电气规格@ 25°C
参数
V
DD
电源
I
DD
电源电流
6
7
8
RFC
GND
GND
GND
9
民
2.7
典型值
3.0
8
最大
3.3
单位
V
µA
采用4x4mm 20引脚QFN
表2.引脚说明
号
1
2
3
1
4
5
6
7
8
1
9
10
11
12
13
1
名字
GND
GND
RF1
GND
GND
GND
GND
RFC
GND
GND
GND
GND
RF2
GND
GND
C2
C1
VSS / GND
GND
VDD
GND
射频地
射频地
RF I / O
描述
(V
DD
= 3 V, V
CNTL
= 3 V)
控制电压高
控制电压低
0.7 x
V
DD
0
V
DD
0.3 x
V
DD
V
V
RF地面， RF1终端电阻
射频地
射频地
射频地
射频共
射频地
射频地
射频地
RF地面， RF2终端电阻
RF I / O
射频地
射频地
控制2
控制1
负电源选项
数字地
供应
射频地垫
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS ™器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS ™
设备是免疫的闩锁。
开关频率
该PE4274具有最大25 kHz的开关
率时，内部负电压发生器
被使用（销18 = GND）。的速率的
PE4274可以切换为仅限定于
切换时间如果外部-3 V电源
在（引脚18 = V提供
SS
).
14
15
16
2
17
2
18
3
19
20
PAD
注意事项：
1.射频引脚3,8 ，和13必须是在0伏。 RF引脚不
需要隔直电容才能正常工作，如果在0 V DC
要求得到满足。
2.在引脚16和17是在CMOS控制，设置了四个操作
状态。
3.连接引脚18至GND ，使负电压发生器。
连接引脚18至V
SS
（ -3V ）来绕过，并禁止内部-3V电源
发电机。请参阅“开关频率” 。
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