PE4272
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
表4.绝对最大额定值
符号
V
DD
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
存储温度范围
输入功率（ 50
Ω)
ESD电压（ HBM ， ML_STD
883方法3015.7 ）
民
-0.3
-0.3
-65
最大
4.0
V
DD
+
0.3
150
34
1500
单位
V
V
°C
DBM
V
V
DD
CTRL
GND
1
2
8
7
RF1
V
I
GND
GND
RF2
4272
3
4
6
5
T
ST
P
IN
V
ESD
RFC
表2.引脚说明
针
号
1
针
名字
V
DD
描述
标称+3 V电源连接。
CMOS逻辑电平：
高= RFC到RF1信号通路
低= RFC到RF2信号通路
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到地
飞机的最佳性能。
常见的RF端口。
4
RF2端口。
4
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到地
飞机的最佳性能。
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到地
飞机的最佳性能。
RF1端口。
4
2
CTRL
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在工作范围表的限制。接触
长时间的绝对最大额定值
可能会影响器件的可靠性。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS ™
设备是免疫的闩锁。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS ™器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表4规定的额定值。
3
4
5
6
GND
RFC
RF2
GND
7
8
注意：
GND
RF1
4.所有RF引脚必须为直流阻断与外部
串联电容或为0V举行
DC
.
表3.工作范围
参数
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流
(V
DD
= 3 V ， CTRL = 3V）
工作温度
范围
控制电压高
控制电压低
-40
0.7xV
DD
0.3xV
DD
民
2.7
典型值
3.0
8
最大
3.3
20
85
单位
V
µA
°C
V
V
©2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第11 2
文档编号70-0173-03
│
的UltraCMOS RFIC ™解决方案
PEREGRINE [ PEREGRINE SEMICONDUCTOR CORP. ]
