产品speci fi cation
PE4263 DIE
SP6T的UltraCMOS ™ 2.6 V开关
100 - 3000兆赫
图1.功能框图
特点
•
三针CMOS逻辑控制
•
TX1
RX1
•
•
•
•
•
TX2
RX2
RX3
CMOS
控制/驱动器
和ESD
RX4
积分解码器/驱动器
低TX插入损耗: 0.55分贝900
兆赫, 0.65分贝在1900兆赫
TX - RX隔离48分贝900兆赫,
在1900兆赫40分贝
低谐波: 2F
o
= -85 dBc的和
3f
o
= -72 dBc的
1500 V HBM ESD耐受的所有端口
41 dBm的P1dB为
无需隔直电容
产品说明
V1
V2
V3
图2.模具顶视图
RX1
GND
RX2
GND
GND
GND
RX3
GND
TX2
GND
RX4
GND
TX1
蚂蚁
该PE4263 SP6T RF的UltraCMOS ™开关
解决的具体设计需要
GSM四频手机天线开关
模块市场。片上CMOS解码逻辑
促进三针低压CMOS控制。
1500 V在所有端口的高ESD耐受性,无
阻塞电容器的要求和片
SAW滤波器过压保护器件
使这个极致的集成和
耐用性。
该PE4263的UltraCMOS ™射频开关
在百富勤公司的专利制造的超
薄硅( UTSi® ) CMOS工艺,提供
砷化镓与经济表现
整合传统的CMOS 。
GND
VDD
V3
GND
V2 V1
GND
文档编号70-0175-02
│
www.psemi.com
需要NDA的完整版:联系sales@psemi.com
©2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第1页4