PE4259
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
销1
表4.直流电特定网络阳离子
参数
民
2.3
典型值
3.0
9
最大
3.3
20
单位
V
µA
V
RF1
GND
RF2
1
6
CTRL或V
DD
RFC
CTRL
V
DD
电源
电压
I
DD
电源电流
(V
DD
= 3V, V
CNTL
= 3V)
控制电压高
控制电压低
259
2
5
3
4
0.7倍V
DD
0.3X V
DD
V
表2.引脚说明
针
号
1
2
3
4
5
闭锁避免
描述
针
名字
RF1
GND
RF2
CTRL
RFC
RF端口1
3
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS ™
设备是免疫的闩锁。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS ™器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表3规定的额定值。
图4.最大输入功率
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到地
飞机的最佳性能。
RF PORT2
3
切换控制输入端， CMOS逻辑电平。
射频共
3
该引脚支持两种接口选择：
单引脚控制模式。
标称3伏
需要电源连接。
互补引脚控制模式。
A
CMOS互补的控制信号
以CTRL提供给该引脚。逐
不需要在通过该引脚上
此模式。
6
Ctrl或
V
DD
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
T
ST
T
OP
P
IN
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
储存温度
范围
工作温度
范围
输入功率（ 50Ω ）
电压ESD （HBM ，
ML_STD 883方法
3015.7)
ESD电压（ MM ，
JEDEC ， JESD22 - A114 -B ）
民
-0.3
-0.3
-65
-40
最大
4.0
V
DD
+
0.3
150
85
+34
4
2000
单位
V
V
°C
°C
DBM
V
V
ESD
250
注： 3.所有RF引脚必须DC封锁与外部串联
电容或为0V举行
DC
.
4.保持最佳的设备性能，不超过
马克斯P
IN
在期望的工作频率（参见图4） 。
©2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第2页8
文档编号70-0134-02
│
的UltraCMOS RFIC ™解决方案
PEREGRINE [ PEREGRINE SEMICONDUCTOR CORP. ]
