PE4257
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
18 VSS / GND
19 GND
CTRL1
CTRL2
VDD
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
参数/条件
电源电压
在CTRL输入电压
在RFC ， RF1 ， RF2射频功率
在端口/终止端口
储存温度
工作温度
ESD电压
（人体模型）
民
-0.3
-0.3
最大
4.0
V
DD
+
0.3
33/24
单位
V
V
DBM
°C
°C
V
20
17
16
GND
GND
RF1
GND ， RF1期限。
GND
1
GND
2
3
4
5
15 GND
14 GND
13
RF2
P
RF
T
ST
T
OP
V
ESD
-65
-40
1000
+150
+85
12 GND ， RF2期限。
11 GND
采用4x4mm 20引脚QFN
表2.引脚说明
号
1
2
3
1
4
5
6
7
8
1
9
10
11
12
13
1
14
15
16
2
17
2
18
3
19
20
PAD
注意事项：
1.射频引脚3,8 ，和13必须是在0伏。 RF引脚不需要DC
隔直电容才能正常工作，如果0 VDC要求得到满足。
2.在引脚16和17是在CMOS控制，设置了四个工作状态。
3.连接引脚18至GND ，使负电压发生器。连
引脚18至V
SS
（ -3 V）绕过和禁用内部-3 V电源发生器。看
款“的开关频率。 ”
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在直流电气规格表的限制。
置身于绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的可靠性。
表4.直流电气规格@ 25°C
参数
V
DD
电源
I
DD
电源电流
(V
DD
= 3V, V
CNTL
= 3V)
控制电压高
控制电压低
0.70 V
DD
0
0.30 V
DD
V
V
名字
GND
GND
RF1
GND
GND
GND
GND
RFC
GND
GND
GND
GND
RF2
GND
GND
CTRL2
CTRL1
VSS / GND
GND
VDD
GND
射频地
射频地
RF I / O
射频地
射频地
射频地
射频地
射频共
射频地
射频地
射频地
射频地
RF I / O
射频地
射频地
控制2
控制1
描述
民
2.7
GND 10
6
7
8
RFC
GND
GND
GND
9
典型值
3.0
8
最大
3.3
20
单位
V
µA
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS ™
设备是免疫的闩锁。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS ™器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
开关频率
该PE4257具有最大25 kHz的开关
率时，内部负电压发生器
被使用（销18 = GND）。的速率的
PE4257可以切换为仅限定于
切换时间如果外部-3 V电源
在（ pin18 = V提供
SS
).
文档编号70-0166-02
│
的UltraCMOS RFIC ™解决方案
负电源选项
数字地
供应
射频地垫
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第2 7
PEREGRINE [ PEREGRINE SEMICONDUCTOR CORP. ]
