产品speci fi cation
PE4243
单刀双掷的UltraCMOS ™射频开关
产品说明
该PE4243的UltraCMOS ™射频开关被设计为覆盖
广泛的，通过3000兆赫从近DC应用。
这种反射开关集成主板上的CMOS控制逻辑
用低电压CMOS兼容的控制接口，并且可以
使用单针或互补的控制来控制
输入。使用标称值为+ 3伏电源电压，典型
可以实现27 dBm的输入1 dB压缩点。
该PE4243的UltraCMOS ™射频开关是制造
百富勤公司的专利超薄硅（ UTSi® ） CMOS
过程中，提供与经济的GaAs的性能
整合传统的CMOS 。
图1.功能框图
RFC
特点
•
单针或互补的CMOS
逻辑控制输入
•
+ 3.0伏电源需要
单引脚控制模式
•
低插入损耗：0.7分贝1000兆赫，
0.9分贝在2000兆赫
•
30 dB的隔离，在1000兆赫， 21分贝
在2000兆赫
•
典型的1 dB压缩点
+27 dBm的
•
超小型SOT- 23封装
图2.封装类型
6引脚SOT- 23
RF1
RF2
CMOS
控制
司机
CTRL CTRL或V
DD
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
(Z
S
= Z
L
= 50
Ω)
参数
工作频率
1
插入损耗
隔离
回波损耗
“ON”切换时间
“OFF”开关时间
视频馈通
2
输入1 dB压缩
输入IP3
2000兆赫
2000兆赫， 14 dBm的输入功率
26
43
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
50％的CTRL键的终值0.1分贝， 1 GHz的
50 ％ CTRL 〜25 dB的隔离， 1 GHz的
28
19
18
16
条件
最低
DC
典型
0.7
0.9
30
21
22
19
300
200
15
27
45
最大
3000
0.85
1.05
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
ns
mV
pp
DBM
DBM
注：1.线性器件将开始降低10 MHz以下。
2.在交换机的任何端口的输出端的直流瞬态当控制电压从低切换到高或高到低的50
Ω
TEST
设置，以1ns的测量上升时间脉冲和500 MHz的带宽。
文档编号70-0096-02
│
www.psemi.com
©2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第1页8
PEREGRINE [ PEREGRINE SEMICONDUCTOR CORP. ]
