PE3335
产品speci fi cation
表1.引脚说明（续）
PIN号
(44-lead
PLCC ）
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
注1 ：
PIN号
(48-lead
QFN ）
23
24
25
26
27
28
29
30
32
33, 34
35
36
31,37
38,39
40
41
42
针
名字
接口
模式
TYPE
描述
预分频器的互补输入。旁路电容应尽可能
尽可能地接近这个引脚和连接串联一个50
Ω
电阻器
直接到接地平面。
地面上。
F
in
GND
f
p
V
DD
-f
p
DOUT
V
DD
CEXT
V
DD
CP
NC
V
DD
-f
c
f
c
GND
GND
f
r
LD
ENH
所有
所有
所有
所有
串行，
并行
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
串行，
并行
输入
产量
（注1 ）
产量
（注1 ）
产量
（注1 ）
产量
监测引脚主分频器的输出。交换活动可以通过禁用
增强的寄存器编程或浮或接地V
DD
引脚31 。
V
DD
适用于F
p
。可以悬空或连接到GND禁用的F
p
输出。
数据输出。该MSEL信号和原始预分频器的输出可在
DOUT通过增强的寄存器编程。
相同的引脚1 （ QFN48管脚43 ） 。
PD_U和PD_D逻辑“非”通过终止芯片， 2千欧
串联电阻。连接CEXT到外部电容器将低通滤波器
输入到反相放大器用于驱动LD 。
相同的引脚1 （ QFN48管脚43 ） 。
电荷泵的电流源当f
c
导致˚F
p
和sinked当f
c
滞后˚F
p
.
无连接。
（注1 ）
产量
V
DD
适用于F
c
可以悬空或连接到GND禁用的F
c
输出。
监控引脚，以供参考分频器的输出。交换活动可以被禁用
通过增强的寄存器编程或浮动或接地V
DD
引脚38 。
地面上。
地面上。
输入
产量
输入
参考频率输入。
锁定检测和CEXT的开漏逻辑反转。当回路处于锁定状态，
LD是高阻抗的，否则LD是一个逻辑低电平（ “0”） 。
增强模式。当置为低电平（ “0”） ，增强的寄存器位
功能性。
所有V
DD
引脚由二极管连接的，并且必须具有相同的正电压电平来提供。
V
DD
-f
p
和V
DD
-f
c
用于将F电源
p
和f
c
输出，也可以悬空或连接到GND禁用的F
p
和f
c
输出。
注2 ：
所有数字输入引脚具有70 kΩ的上拉或下拉电阻到地。
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第15 4
文档编号70-0049-02
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的UltraCMOS RFIC ™解决方案
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