PE3236
产品speci fi cation
表2.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
I
I
I
O
T
英镑
表4. ESD额定值
单位
V
V
mA
mA
°C
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
DC到任何输入
DC到任何输出
存储温度范围
民
-0.3
-0.3
-10
-10
-65
最大
4.0
V
DD
+
0.3
+10
+10
150
符号
V
ESD
注1 ：
参数/条件
静电放电电压（人体
模型）
水平
1000
单位
V
周期性采样，而不是100 ％测试。每MIL-进行测试
STD- 883 ， M3015 C2
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS ™器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表4规定的额定值。
闭锁避免
表3.工作额定值
符号
V
DD
T
A
参数/条件
电源电压
工作环境
温度范围
民
2.85
-40
最大
3.15
85
单位
V
°C
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS ™
设备是免疫的闩锁。
表5. DC特性：
V
DD
= 3.0 V， -40°C <牛逼
A
< 85 ℃，除非另有说明
符号
I
DD
参数
操作电源电流;
预分频
条件
V
DD
= 2.85至3.15 V
民
典型值
22
最大
35
单位
mA
数字输入：所有除F
r
, R
0
, F
in
,
F
in
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输入电流
低电平输入电流
V
DD
= 2.85至3.15 V
V
DD
= 2.85至3.15 V
V
IH
= V
DD
= 3.15 V
V
IL
= 0, V
DD
= 3.15 V
-1
0.7× V
DD
0.3× V
DD
+1
V
V
µA
µA
参考分频器输入：F
r
I
国际卫生条例
I
ILR
高电平输入电流
低电平输入电流
V
IH
= V
DD
= 3.15 V
V
IL
= 0, V
DD
= 3.15 V
-100
+100
µA
µA
R0输入（上拉电阻） ，R
0
I
IHRO
I
ILRO
高电平输入电流
低电平输入电流
V
IH
= V
DD
= 3.15 V
V
IL
= 0, V
DD
= 3.15 V
-5
+5
µA
µA
计数器和鉴相器输出：F
c
, f
p
V
老
V
OHD
输出电压低
输出电压高
I
OUT
= 6毫安
I
OUT
= -3毫安
V
DD
- 0.4
0.4
V
V
锁定检测输出： CEXT ， LD
V
OLC
V
OHC
V
OLLD
输出电压低， CEXT
输出电压高， CEXT
输出电压低， LD
I
OUT
- 0.1毫安
I
OUT
= -0.1毫安
I
OUT
= 1毫安
V
DD
- 0.4
0.4
0.4
V
V
V
文档编号70-0026-03
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第15个5
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