AGR09045E
45 W， 865兆赫， 895兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET
电气特性
推荐工作条件适用，除非另有规定：T已
C
= 30 °C.
表4.直流特性
参数
开关特性
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
= 100 µA)
门源漏电流（V
GS
= 5 V, V
DS
= 0 V)
零栅极电压漏极漏电流（V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V)
基本特征
正向跨导（V
DS
= 10 V，I
D
= 1.0 A)
栅极阈值电压（V
DS
= 10 V，I
D
= 400 µA)
门静态电压（V
DS
= 28 V，I
DQ
= 450毫安）
漏源电压（V
GS
= 10 V，I
D
= 1.0 A)
表5. RF特性
参数
动态特性
输入电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
输出电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
73
23
1.2
—
—
—
pF
pF
pF
符号
民
典型值
最大
单位
G
FS
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
—
—
—
—
3
—
3.5
0.25
—
4.8
—
—
S
VDC
VDC
VDC
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
65
—
—
—
—
—
—
1.3
4
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试（在杰尔系统提供的测试治具）
（测试频率（ F） = 865兆赫， 880兆赫， 895兆赫）
线性功率增益
(V
DS
= 28 V ，P
OUT
= 6 W，I
DQ
= 450毫安）
输出功率
(V
DS
= 28 V ， 1 dB压缩，我
DQ
= 450毫安）
漏EF网络效率
(V
DS
= 28 V ，P
OUT
=的P1dB ，我
DQ
= 450毫安）
三阶互调失真
（ 100 kHz间隔，V
DS
= 28 V ，P
OUT
= 45 WPEP ，我
DQ
= 450毫安）
输入回波损耗
耐用性
(V
DS
= 28 V ，P
OUT
= 45 W，I
DQ
= 450毫安， F = 880 MHz时，
驻波比= 10 ：1，所有的角度）
IMD
I
RL
—
G
L
P1dB
19
45
—
—
—
20
60
59
–31
10
—
—
—
—
—
dB
W
%
dBc的
dB
没有退化的输出功率。
2
PEAK [ PEAK ELECTRONICS GMBH ]
